"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно легированных бором подложках
Шенгуров В.Г.1, Чалков В.Ю.1, Шенгуров Д.В.2, Денисов С.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Эпитаксиальные слои Si n-типа проводимости, легированные фосфором или эрбием, были выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500oC на сильно легированных бором p+-подложках, с удельным сопротивлением rho=0.005 Ом·см. Профили распределения концентрации примесей B, Er и O в выращенных образцах определялись методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Термический отжиг подложки при 1300oC в течение 10 мин в вакууме и выращивание при очень низкой температуре подложки дают возможность достичь экстремально резкого профиля легирующих примесей на границе раздела слой--подложка. Этот метод выращивания n-p+-переходов значительно улучшает их электрические и люминесцентные характеристики. PACS: 73.40.Lq, 81.15.Hi
  1. W.-X. Ni, C.-X. Du, K.B. Joelsson, G. Pozina, G.-V. Hansson. J. Luminesc., 80, 309 (1999)
  2. J.S. Limmer, A. Reittiger, J.F. Nutzel, G. Abstreter. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
  3. Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47 (1), 108 (2005)
  4. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (2), 353 (2000)
  5. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34 (5), 519 (2000)
  6. В.А. Толомасов, В.В. Васькин, М.И. Освянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова. ФТП, 15 (1), 104 (1981)
  7. Y. Ota. Thin Sol. Films, 106, 3 (1983)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
  9. В. Andreev, V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel'yanov, Z. Krasil'nik, V. Kuznetsov, P. Pak, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, M. Stepikhova, S. Svetlov. Nanotechnology, 13, 97 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.