Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых слоев n-типа проводимости на сильно легированных бором подложках

Шенгуров В.Г.¹, Чалков В.Ю.¹, Шенгуров Д.В.², Денисов С.А.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.

Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные слои Si n-типа проводимости, легированные фосфором или эрбием, были выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500^oC на сильно легированных бором p⁺-подложках, с удельным сопротивлением rho=0.005 Ом·см. Профили распределения концентрации примесей B, Er и O в выращенных образцах определялись методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Термический отжиг подложки при 1300^oC в течение 10 мин в вакууме и выращивание при очень низкой температуре подложки дают возможность достичь экстремально резкого профиля легирующих примесей на границе раздела слой-подложка. Этот метод выращивания n-p⁺-переходов значительно улучшает их электрические и люминесцентные характеристики. PACS: 73.40.Lq, 81.15.Hi

W.-X. Ni, C.-X. Du, K.B. Joelsson, G. Pozina, G.-V. Hansson. J. Luminesc., 80, 309 (1999)
J.S. Limmer, A. Reittiger, J.F. Nutzel, G. Abstreter. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47 (1), 108 (2005)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН. Сер. физ., 64 (2), 353 (2000)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34 (5), 519 (2000)
В.А. Толомасов, В.В. Васькин, М.И. Освянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова. ФТП, 15 (1), 104 (1981)
Y. Ota. Thin Sol. Films, 106, 3 (1983)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
В. Andreev, V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel'yanov, Z. Krasil'nik, V. Kuznetsov, P. Pak, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, M. Stepikhova, S. Svetlov. Nanotechnology, 13, 97 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель