"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Проанализированы прямые вольт-амперные характеристики неидеальных контактов Шоттки Ti/4H-SiC с коэффициентом неидеальности на экспоненциальном участке характеристик n=1.1-1.2. Неидеальность рассматривается как следствие образования тонкого диэлектрического слоя между напыленным титаном и 4H-SiC. По измеренным вольт-амперным характеристикам определены электрофизические параметры контактов --- высота энергетического барьера, толщина промежуточного диэлектрического слоя, распределение плотности состояний по энергиям на границе раздела диэлектрик/полупроводник. PACS: 73.30.+y, 73.40.Ei, 73.40.Ns
  1. R.F. Schmitsdorf, T.U. Kampen, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1221 (1997)
  2. R. Perez, N. Mestres, J. Montserrat, D. Tournier, P. Godignon. Phys. Status Solidi A, 202, 692 (2005)
  3. D. Defives, O. Noblanc, C. Dua, C. Brylinski, M. Barhula, V. Aubry-Fortuna, F. Meyer. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 449 (1999)
  4. B.J. Skromme, E. Luckowski, K. Moore, M. Bhatnagar, C.E. Weitzel, T. Gehoski, D. Ganser. J. Electron. Mater., 29, 376 (2000)
  5. H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1602 (1971)
  6. K. Hattori, T. Yamasaki, Y. Uraoka, T. Fujii. J. Appl. Phys., 54, 7020 (1983)
  7. М.Б. Шалимова, Н.В. Щербакова. Письма ЖТФ, 31, 27 (2005)
  8. И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов. Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)
  9. В.А. Гуртов. Твердотельная электроника. Учебное пособие (Петрозаводск, ПетрГУ, 2004) гл. 3, с. 108
  10. D. Stephani, R. Schoerner, D. Peters, P. Friedrichs. Mater. Sci. Forum, 527--529, 1147 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.