"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки
Панахов М.М.1, Агасиев А.А.1, Сармасов С.Н.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 28 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Исследовано влияние потенциального барьера сегнетоэлектрической подложки на проводимость пленок PbTe и SnO2-x. Мы изготовили управляемые тонкопленочные резисторы с кратностью 104 и высокой стабильностью, усовершенствовав подготовку поверхности подложки и технологию осаждения пленки. PACS: 73.50.Dn, 73.50.Pz, 85.50Gk
  1. В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус. Прикл. физика, N 6, 66 (2001)
  2. И.Р. Нуриев, М.И. Абдуллаев, С.С. Фарзалиев. Тез. докл. XVI Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., ОРИОН, 2000) с. 94
  3. А.И. Дирочка, А.С. Кононов, П.С. Серебренников, Н.А. Сулейманов. Прикл. физика, N 2, 85 (2003)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. УФН, 117, 401 (1975)
  5. A.A. Agasiev, V.I. Orbukh, M.Z. Mamedov. J. Phys. III (France), 4, 2521 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.