Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 28 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
Исследовано влияние потенциального барьера сегнетоэлектрической подложки на проводимость пленок PbTe и SnO2-x. Мы изготовили управляемые тонкопленочные резисторы с кратностью 104 и высокой стабильностью, усовершенствовав подготовку поверхности подложки и технологию осаждения пленки. PACS: 73.50.Dn, 73.50.Pz, 85.50Gk
- В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус. Прикл. физика, N 6, 66 (2001)
- И.Р. Нуриев, М.И. Абдуллаев, С.С. Фарзалиев. Тез. докл. XVI Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., ОРИОН, 2000) с. 94
- А.И. Дирочка, А.С. Кононов, П.С. Серебренников, Н.А. Сулейманов. Прикл. физика, N 2, 85 (2003)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. УФН, 117, 401 (1975)
- A.A. Agasiev, V.I. Orbukh, M.Z. Mamedov. J. Phys. III (France), 4, 2521 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
