"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства гетероперехода на основе пентацена и производных перилена
Стахира П.Й.1, Черпак В.В.1, Волинюк Д.Ю.1
1Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 4 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

С целью создания органических фоточувствительных элементов с широким спектром фоточувствительности и улучшенными фотогенерационными характеристиками в работе исследована гетероструктура ITO/пентацен/DiMe-PTCDI/Al, сформированная путем поочередного вакуумного напыления на подложку ITO пленок пентацена и производной перилена N,N'-dimethyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide (DiMe-PTCDI). Исследовано влияние условий формирования гетероструктуры на ее спектральную фоточувствительность и фотовольтаические свойства. Анализ вольт-амперных характеристик и частотных зависимостей комплексного сопротивления показал, что прохождение тока через гетеропереход определяется термоэлектронной эмиссией с коэффициентом идеальности 1.5-2.2, а гетероструктуру можно смоделировать эквивалентной схемой, состоящей из двух последовательных элементов, представляющих объем гетероструктуры и область ее пространственного заряда. PACS: 78.66.Qn, 72.40.+w, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 81.15.Ef,
  1. C.J. Brabec, N.S. Sariciftci, J.C. Hummelen. Adv. Funct. Mater., 11, 15 (2001)
  2. S. Uchida, J. Xue, B.P. Rand, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 84, 4218 (2004)
  3. J. Rostalski, D. Meissner. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 61, 87 (2000)
  4. C.D. Dimitrakopoulos, P.R.L. Malenfant. Adv. Mater., 14, 99 (2002)
  5. T.W. Kelley, L.D. Boardman, T.D. Dunbar, D.V. Muyres, M.J. Pellerite, T.P. Smith. J. Phys. Chem. B, 107, 5877 (2003)
  6. A.K. Pandey, K.N.N. Unni, J.M. Nunzi. Thin Sol. Films, 511--512, 529 (2006)
  7. S. Karg, M. Meier, W. Riess. J. Appl. Phys., 82, 1951 (1997)
  8. G.N. Gavrila, H. Mendez, T.U. Kampen, D.R.T. Zahn, D.V. Vyalikh, W. Braun. Appl. Phys. Lett., 85, 4657 (2004)
  9. Y. Hirose, A. Kahn. Phys. Rev. B, 54, 13 748 (1996)
  10. W. Riess, S. Karg, V. Dyakonov, M. Meier, M. Schwoerer. J. Luminecs., 60--61, 906 (1994)
  11. C.M. Sze. Physics of semiconductor devices (N.Y.--London--Sydney--Toronto, Wiley and Sons, 1969)
  12. W. Huynh, J.J. Dittmer, N. Teclemariam, D.J. Milliron, A.P. Alivisators. Phys. Rev. B, 67, 115 326 (2003)
  13. J. Lee, S.S. Kim, K. Kim, J.H. Kim, S. Im. Appl. Phys. Lett., 84, 1701 (2004)
  14. P. Schouwink, A.H. Schafer, C. Seidel, H. Fuchs. Thin Sol. Films, 372, 163 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.