Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 4 » Статья стр. 522
<<<>>>
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
Кабанов В.В.1, Лебедок Е.В.1, Рябцев А.Г.1, Рябцев Г.И.1, Щемелев М.А.1, Шерстнев В.В.2, Астахова А.П.2, Яковлев Ю.П.2
1Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
PDF версия
Для дисковых лазеров на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (длина волны генерации 3.03-3.06 мкм) определены значения внутреннего квантового выхода люминесценции, а также скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации в интервале температур 85-120 K. Установлено, что с ростом температуры относительный вклад скорости безызлучательной рекомбинации в величину плотности порогового тока возрастает с 89.9 до 92.8%. Показано, что наиболее вероятными механизмами безызлучательных переходов в дисковых гетеролазерах InAs/InAsSbP могут выступать оже-процессы CHCC и CHSH с участием фононов. Определены коэффициенты полных потерь для двух наблюдаемых на опыте полос генерации, и оценен максимальный уровень внутренних оптических потерь. Добротность резонатора дискового гетеролазера InAs/InAsSbP составляет величину ~104. PACS: 42.55.Px, 78.20.Bh
  1. А.П. Астахова, Т.В. Безъязычная, Л.И. Буров, А.С. Горбацевич, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 42, 228 (2008)
  2. В.В. Шерстнев, А.М. Монахов, А.П. Астахова, А.Ю. Кислякова, Ю.П. Яковлев, Н.С. Аверкиев, A. Krier, G. Hill. ФТП, 39, 1122 (2005)
  3. V. Sherstnev, A. Monakhov, A. Krier, D.A. Wright. IEE Proc. Optoelectron., 152, 1 (2005)
  4. Л.И. Буров, Е.В. Лебедок, В.К. Кононенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев. ЖПС, 74, 790 (2007)
  5. В.П. Грибковский, В.К. Кононенко, В.А. Самойлюкович. Квантовая электроника и лазерная спектроскопия: Основные каналы потерь энергии в инжекционных лазерах (Минск, 1971)
  6. A.G. Ryabtsev, E.V. Lutsenko, G.I. Ryabtsev, G.P. Yablonskii, A.S. Smal, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status Solidi C, 0 (1), 479 (2002)
  7. G. Lasher, F. Stern. Phys. Rev., 133, A553 (1964)
  8. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  9. R. Fehse, S. Tomic, A.R. Adams, S.J. Sweeney, E.P. O'Reilly, A. Andreev, H. Riechert. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 801 (2002)
  10. Quantum well lasers, ed. by P.S. Zory (San Diego, Academic Press, 1993) p. 138
  11. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  12. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, В.Н. Халфин. ФТП, 18, 1803 (1984)
  13. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Phillips, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, J.R. Meyer, H. Lee, R.U. Martinelli. IEE Proc. Optoelectron., 150, 4 (2003)
  14. N.C. Frateschi, A.F. Levi. Appl. Phys. Lett., 66, 2932 (1995)
  15. А.Н. Ораевский. Квант. электрон., 32, 377 (2002)
  16. M. Takeshima. Phys. Rev. B, 30, 3302 (1984)
  17. Н.В. Зотова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 11, 1882 (1977)
  18. M. Takeshima. Phys. Rev. B, 26, 917 (1982)
  19. А.П. Богатов, П.Г. Елисеев, О.Г. Охотников, М.П. Рахвальский, К.А. Хайретдинов. Тр. ФИАН, 166, 52 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme