"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Ильинская Н.Д.1, Самсонова Т.П.1, Потапов А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя. PACS: 73.40.Lq, 85.30.Kk
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 878 (2008)
  • V. Anantharam, K.N. Bhat. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 939 (1980)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова. ФТП, 39, 1475 (2005)
  • D.C. Sheridan, G. Niu, J.N. Merrett, J.D. Cressler, C. Ellis, C.-C. Tin. Sol. St. Electron., 44, 1367 (2000)
  • W. Bahng, G.H. Song, H.W. Kim, K.S. Seo, N.K. Kim. Mater. Sci. Forum, 457-- 460, 1013 (2004)
  • T. Yamamoto, T. Endo, N. Kato, H. Nakamura, T. Sakakibara. Mater. Sci. Forum, 556-- 557, 857 (2007)
  • B.J. Baliga. Sol. St. Electron., 19, 739 (1976)
  • K.D. Suh, S.W. Hong, K. Lee, C.-K. Kim. Sol. St. Electron., 33, 1125 (1990).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.