Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 4 » Статья стр. 531
<<<>>>
Светоизлучающая диодная линейка (lambda=3.7 мкм) на основе InGaAsSb
Закгейм А.Л.1, Зотова Н.В.2, Ильинская Н.Д.2, Карандашев С.А.2, Матвеев Б.А.2, Ременный М.А.2, Стусь Н.М.2, Усикова А.А.2, Черняков А.Е.1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
PDF версия
Приведены спектральные, вольт-амперные и ватт-амперные характеристики узкозонных диодных структур p-InAsSbP/n-InGaAsSb/n+-InAs с размерами активных элементов 130x130 мкм. Проведен анализ двумерного распределения излучения образцов, выполненных в виде излучающих флип-чип линеек 1x4, включая анализ однородности излучения, и определена предельная эффективная температура, создаваемая излучателем данного типа. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi, 85.60.Jb
  1. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus', A. Kovchavtsev, G. Kuryshev, V. Polovinkin, N. Tarakanova. In: Progress in Semiconductor Materials V --- Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications, ed. by L.J. Olafsen, R.M. Biefeld, M.C. Wanke and A.W. Saxler. [MRS Proc., 891 (2006) paper \# 0891-EE01-04]
  2. B.A. Matveev, G.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, G.Yu. Sotnikova, N.M. Stus', G.N. Talalakin, J. Malinen. Sens. Actuators B, 38--39, 339 (1997)
  3. J. Malinen, T. Hannula, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, I.I. Markov, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 2069 ( Optical Methods for Chemical Process Control), 95 (1993)
  4. Ю.Ю. Билинец, В.Г. Кондратьева, А.А. Качур, О.М. Штец. Электрон. техн., вып. 1 (204), 91 (1990)
  5. N.C. Das, G. Simonis, J. Bradshaw, A. Goldberg, N. Gupta. Proc. SPIE, 5408, 136 (2004). http://spie.org/x8631.xml?highlight=x2412
  6. Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
  7. Д.М. Крюкова, В.И. Лескович, А.В. Матвеенко. Письма ЖТФ, 5, 717 (1979)
  8. M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin, W.W. Bewley, J.R. Lindle, J.R. Meyer. Appl. Phys. Lett., 81, 1166 (2002)
  9. A. Krier, V.V. Sherstnev, H.H. Gao. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 1656 (2000)
  10. Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. ФТП, 42, 641 (2008)
  11. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
  12. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
  13. www.ioffeled.com
  14. D.G. Gevaux, A.M. Green, C.C. Philips, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, J.R. Meyer, H. Lee, R. Martinelli. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 351 (2003)
  15. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005)
  16. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.V. Zinovchuk. Appl. Phys. Lett., 89, 201 114 (2006)
  17. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41, 257 (2007)
  18. Ю.М. Задиранов, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Письма ЖТФ, 34 (10), 1 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme