"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрический волновод для среднего и дальнего инфракрасного излучения
Аверкиев Н.С.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Проанализирована возможность использования нормального скин-эффекта для создания диэлектрического волновода для длинноволнового излучения. Предложен диэлектрический волновод, совмещенный с гетеролазером, сформированный из нелегированного слоя GaAs, окруженного сильно легированными слоями твердых растворов n- и p-AlxGa1-xAs, от которых, благодаря нормальному скин-эффекту, излучение отражается. Показано, что для создания эффективного волновода надо использовать слои твердого раствора n-AlxGa1-xAs с x<0.45, концентрацией электронов N>5·1018 см-3 и слои твердого раствора p-AlxGa1-xAs любого состава с концентрацией дырок P>=3·1019 см-3. PACS: 42.55.Px, 42.82.Et, 78.66.Fd
  1. R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature (London), 417, 156 (2002)
  2. M.A. Belkin, F. Capasso, A. Belyanin, D.L. Sivko, A.Y. Cho, D.C. Oakley, C.J. Vineis, G.W. Turner. Nature Photon., 1, 288 (2007)
  3. I.A. Dmitriev, R.A. Suris. Physica E, 40 (6), 2007 (2008)
  4. S.M. Nekorkin, A.A. Biryukov, P.B. Demina, N.N. Semenova, B.N. Zvonkov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. Appl. Phys. Lett., 90, 171 106 (2007)
  5. B.N. Zvonkov, A.A. Biryukov, E.V. Ershov, S.M. Nekorkin, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, A.A. Dubinov, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky. Appl. Phys. Lett., 92, 021 122 (2008)
  6. Н.С. Аверкиев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 41, 372 (2007)
  7. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  8. V. Berger, C. Sirtori. Semicond. Sci. Technol., 19, 964 (2004)
  9. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53 (10), R123 (1982)
  10. Semiconductors. Group IV Elements and III--V Compounds, ed. by O. Madelung (Berlin etc., Springer-Verlag, 1991)
  11. Дж. Займан. Принципы теории твердого тела (М., Мир, 1974)
  12. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  13. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  14. Ю.И. Балкарей, В.Г. Бару. Письма ЖЭТФ, 10, 324 (1969)
  15. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  16. S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.