"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кооперативные эффекты при импульсном саморазогреве p-i-n-диода
Горбатюк А.В.1, Серков Ф.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Предложен вариант аналитической модели распределенных инжекционных и тепловых процессов, которые реализуются при саморазогреве полупроводникового p-i-n-диода. Рассчитаны переходные характеристики напряжения, обнаруживающие стадии предварительного и ускоренного разогрева, а также теплового пробоя. Исследованы закономерности эволюции концентрационных и температурных распределений в базе на этих стадиях и проиллюстрировано необычное явление --- кратковерменное концентрационное обеднение инжекционного канала на стадиях, предшествующих термогенерационному увеличению концентраций и вхождению в пробой. Установлено, что механизмы этого явления заключаются в кооперативном взаимодействии эффектов температурно-градиентного дрейфа, термодиффузии плазмы и электрополевого снижения подвижности носителей. PACS: 44.10.+i, 73.40.Lq, 85.30.Kk
  • А.В. Горбатюк, И.Е. Панайотти. Письма ЖТФ, 32, 37 (2006)
  • А.В. Горбатюк, К.В. Игумнов. Письма ЖТФ, 34, 58 (2008)
  • В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк, А.В. Романов. ФТП, 15 (2), 411 (1981)
  • В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк. ФТП, 15, 120 (1981)
  • I.V. Grekhov. Proc. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf., ed. by G. Cooperstein, I. Vitkovsky (Baltimore, Maryland, 1997), v. 1, p. 425
  • M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 931 (2005)
  • И.В. Грехов, А.К. Козлов, С.В. Коротков и др. ПТЭ, N 1, 53 (2003)
  • M.E. Savage. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1451 (2000); S. Schneider, T.F. Podlesak. IEEE Trans. Plasma Sci., 28 (5), 1520 (2000)
  • B.R. Geil, S.B. Bayne, D. Ibitauo, M.G. Koebke. IEEE Trans. Plasma Sci., 33 (4), 1226 (2005)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, А.Г. Миронов. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках (М., Наука, 1972). [Англ. пер.: V.L. Bonch-Bruevich, I.P. Zvyagin, A.G. Mironov. Domain Electrical Instability in Semiconductors (N.Y., Consultant Bureau, 1975)]
  • R. Stratton. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 1288 (1972)
  • N.H. Fletcher. Proc. IRE, 45, 863 (1957)
  • В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  • T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Filatov. Solid-State Electron., 30, 579 (1987)
  • Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  • Y.C. Gersternmaier. Proc. 6th Int. Symp. Power Semicond. Dev., ISPSD'94, ed. by W. Fichtner, A. Jaecklin (Davos, Switzerland, 1994) p. 271
  • C. Canali, G. Majni, M. Minder, G. Ottaviani. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 1045 (1975)
  • ISE Integrated Systems Engineering AG. DESSIS Ref. Manual. http://www.stanford.edu/class/ee328/Dessis/ dessis.pdf
  • А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 97, 103 715 (2005)
  • G.K. Wachutka. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 9, 1141 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.