"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах
Новиков Ю.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

Моделировались характеристики записи/стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний/оксид_1/оксид_2/кремниевая_точка/оксид/полупроводник. В качестве блокирующего и второго туннельного слоя использовался альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (ZrO2). В качестве первого туннельного оксида использовался тонкий слой из диэлектрика с низким значением диэлектрической проницаемости (SiO2). Благодаря такой конфигурации можно значительно улучшить инжекционные характеристики туннельного SiO2 в режиме записи/стирания и, следовательно, повысить быстродействие, увеличить инжектируемый заряд. В то же время использование достаточно толстых блокирующего и второго туннельного слоев позволяет удержать инжектированный заряд длительное время. Программирование импульсом с амплитудой ±11 B и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~6 B. PACS: 77.55.+f, 77.84.Bw, 78.66.Db, 78.66.Nk, 78.67.Hc, 85.90.+h
  1. C.-C. Wang, Y.-K. Chiou, C.-H. Chang, J.-Y. Tseng, L.-J. Wu, C.-Y. Chen, T.-B. Wu. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 1673 (2007)
  2. J.H. Chen, Y.Q. Wang, W.J. Yoo, G. Samudra, D.S.H. Chan, A.Y. Du, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (11), 1840 (2004)
  3. P.F. Lee, X.B. Lu, J.Y. Dai, H.L.W. Chan, E. Jelenkovic, K.Y. Tong. Nanotechnology, 17, 1202 (2006)
  4. Jong Jin Lee, X. Wang, W. Bai, Nan Lu, Dim-Lee Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
  5. В.А. Гриценко, К.А. Насыров, Д.В. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.Л. Асеев, Д.-В. Ли, Ч.В. Ким. ФТП, 39 (6), 748 (2005)
  6. V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko, Yu.N. Novikov, J.-H. Lee, J.-W. Lee, C.W. Kim, Hei Wong. Microelectron. Engin., 81, 530 (2005)
  7. V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
  8. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  9. K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 73 (15), 2137 (1998)
  10. T.-H. Hsu, H.-T. Lue, Y.-C. King, J.-Y. Hsieh, E.-K. Lai, K.-Y. Hsieh, R. Liu, C.-Y. Lu. IEEE Electron. Dev. Lett., 28 (5), 443 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.