Моделировались характеристики записи/стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний/оксид_1/оксид_2/кремниевая_точка/оксид/полупроводник. В качестве блокирующего и второго туннельного слоя использовался альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (ZrO₂). В качестве первого туннельного оксида использовался тонкий слой из диэлектрика с низким значением диэлектрической проницаемости (SiO₂). Благодаря такой конфигурации можно значительно улучшить инжекционные характеристики туннельного SiO₂ в режиме записи/стирания и, следовательно, повысить быстродействие, увеличить инжектируемый заряд. В то же время использование достаточно толстых блокирующего и второго туннельного слоев позволяет удержать инжектированный заряд длительное время. Программирование импульсом с амплитудой ±11 B и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~6 B. PACS: 77.55.+f, 77.84.Bw, 78.66.Db, 78.66.Nk, 78.67.Hc, 85.90.+h

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.