Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.
Моделировались характеристики записи/стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний/оксид_1/оксид_2/кремниевая_точка/оксид/полупроводник. В качестве блокирующего и второго туннельного слоя использовался альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью (ZrO2). В качестве первого туннельного оксида использовался тонкий слой из диэлектрика с низким значением диэлектрической проницаемости (SiO2). Благодаря такой конфигурации можно значительно улучшить инжекционные характеристики туннельного SiO2 в режиме записи/стирания и, следовательно, повысить быстродействие, увеличить инжектируемый заряд. В то же время использование достаточно толстых блокирующего и второго туннельного слоев позволяет удержать инжектированный заряд длительное время. Программирование импульсом с амплитудой ±11 B и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~6 B. PACS: 77.55.+f, 77.84.Bw, 78.66.Db, 78.66.Nk, 78.67.Hc, 85.90.+h
- C.-C. Wang, Y.-K. Chiou, C.-H. Chang, J.-Y. Tseng, L.-J. Wu, C.-Y. Chen, T.-B. Wu. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 1673 (2007)
- J.H. Chen, Y.Q. Wang, W.J. Yoo, G. Samudra, D.S.H. Chan, A.Y. Du, D.-L. Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (11), 1840 (2004)
- P.F. Lee, X.B. Lu, J.Y. Dai, H.L.W. Chan, E. Jelenkovic, K.Y. Tong. Nanotechnology, 17, 1202 (2006)
- Jong Jin Lee, X. Wang, W. Bai, Nan Lu, Dim-Lee Kwong. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (10), 2067 (2003)
- В.А. Гриценко, К.А. Насыров, Д.В. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.Л. Асеев, Д.-В. Ли, Ч.В. Ким. ФТП, 39 (6), 748 (2005)
- V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, D.V. Gritsenko, Yu.N. Novikov, J.-H. Lee, J.-W. Lee, C.W. Kim, Hei Wong. Microelectron. Engin., 81, 530 (2005)
- V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B, 57, R2081 (1997)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
- K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 73 (15), 2137 (1998)
- T.-H. Hsu, H.-T. Lue, Y.-C. King, J.-Y. Hsieh, E.-K. Lai, K.-Y. Hsieh, R. Liu, C.-Y. Lu. IEEE Electron. Dev. Lett., 28 (5), 443 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
