Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием

Новодворский О.А.¹, Горбатенко Л.С.¹, Панченко В.Я.¹, Храмова О.Д.¹, Черебыло Е.А.¹, Венцель К.², Барта Й.В.², Бублик В.Т.³, Щербачев К.Д.³

¹Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

Institute on Laser and Information Technologies, Branch of the Federal Scientific Research Centre “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Shatura, Russia

²Институт полупроводниковой и микросистемной технологии, Университет технологии, Дрезден, Германия
³Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2.5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. PACS: 68.55.Ln, 78.55.Hx, 78.67.-n, 81.15.Fg

Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
T. Mukai, D. Morita, S. Nakamura. J. Cryst. Growth, 189, 778 (1998)
H. Tampo, A. Yamada, P. Fons, H. Shibata, K. Matsubara, K. Iwata, S. Niki, K. Nakahara, H. Takasu. Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4412 (2004)
Y. Chen, T. Yao. Mater. Sci. Eng. B, 75, 190 (2000)
D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001)
D.C. Look, D.C. Reynolds, C.W. Litton, R.L. Jones, D.B. Eason, G. Cantwell. Appl. Phys. Lett., 81 (10), 1830 (2002)
Y.W. Heo, Y.W. Kwon, Y. Li, S.J. Pearton, D.P. Norton. Appl. Phys. Lett., 84, 3474 (2004)
Y.-Z. Yoo, Zheng-Wu Jin, T. Chikyow. Appl. Phys. Lett., 81 (20), 3798 (2002)
T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda. Appl. Phys. Lett., 78 (9), 1237 (2001)
A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, Y. Segawa. Appl. Phys. Lett., 72 (19), 2466 (1998)
Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
V. Srikant, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 81, 6357 (1997)
C.X. Wang, G.W. Yang, T.C. Zhang, H.W. Liu, Y.H. Han, J.F. Luo, C.X. Gao, G.T. Zou. Diamond Relat. Mater., 12, 1548 (2003)
Y.R. Ryu, S. Zhu, J.D. Budai, H.R. Chanrasekhar, P.F. Miceli, H.W. White. J. Appl. Phys., 288, 201 (2000)
Y.R. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2001)
T. Aoki, Y. Hatanara, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 76, 3257 (2000)
A.K. Sharma, J. Narayan, J.F. Muth, C.W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R.M. Kolbas, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 75, 3327 (1999)
K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, S.-J. Park. Appl. Phys. Lett., 83, 63 (2003)
D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001)
M. Kawasaki, A. Ohtomo, I. Ohkubo, H. Koinuma, Z.K. Tang, P. Yu, G.K.L. Wong, B.P. Zhang, Y. Segawa. Mater. Sci. Eng. B, 56, 239 (1998)
А.Н. Жерихин, А.И. Худобенко, Р.Т. Вилльямс, Дж. Вилкинсон, К.Б. Усер, Г. Хионг, В.В. Воронов. Квант. электрон., 33 (11), 975 (2003)
E.M. Wong, P.C. Searson. Appl. Phys. Lett., 74, 3939 (1999)
В.Я. Панченко, О.А. Новодворский, В.С. Голубев. Наука и технологии в пром-сти, N 4 (1), 39 (2006)
John Seong Bae, Byung Kee Moon, Byung Chun Choi et al. Thin Sol. Films, 424, 291 (2003)
Y.S. Park, Seung-Ho Lee, Jae-Eung Oh, Chang-Mo Park, Tae-Won Kang. Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4478 (2004)
S. Choopun, R.D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R.P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliadis, D.C. Look. Appl. Phys. Lett., 75 (25), 3947 (1999)
O.A. Novodvorsky, O.D. Khramova, C. Wenzel, J.W. Bartha, E.O. Filippova. J. Appl. Phys. Lett., 94 (5), 3612 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель