"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрохимические ячейки на монокристаллах In2S3
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Боднарь И.В.3, Ушакова Т.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы тетрагональной модификации t-In2S3, на основе которых созданы фоточувствительные ячейки H2O/t-In2S3, а также исследованы спектры их квантовой эффективности. Обнаружена широкополосная фоточувствительность ячеек H2O/t-In2S3. На основании спектров фоточувствительности определен характер межзонных переходов и соответствующие им значения ширины запрещенной зоны t-In2S3. Показана возможность применения кристаллов t-In2S3 в широкополосных фотопреобразователях естественного и поляризованного излучений. Раскрыта связь энергетического спектра с фазовым состоянием кристаллов In2S3. PACS: 73.50.Pz, 78.20.Ci, 85.30.Hi
  1. K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Parkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Progr. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
  2. A. Jasenek, U. Rau. J. Appl. Phys., 90, 650 (2001)
  3. F. Kessler, D. Herrman, M. Powalla. Thin Sol. Films, 480- 481, 491 (2005)
  4. A. Jager-Waldau. Solar Energy, 77, 667 (2004)
  5. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  6. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.И. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1979)
  7. В.Б. Залесский, В.Ю. Рудь, В.Ф. Гременок, Ю.В. Рудь, Т.Р. Леонова, А.В. Кравченко, Е.П. Зарецкая, М.С. Тиванов. ФТП, 41, 992 (2007)
  8. И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 37, 1346 (2003)
  9. G.A. Steigman, H.H. Sutherland, J. Goodyear. Acta. Cryst., 19, 967 (1965)
  10. G.S.D. King. Acta Cryst., 15, 512 (1962)
  11. P. Buck. J. Appl. Cryst., 6, 1 (1973)
  12. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.