"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
Гудовских А.С.1, Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Андреев В.М.1
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al0.8Ga0.2As и p-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49P. PACS: 73.20.At, 73.40.Kp, 84.60.Jt
  1. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, D.D. Krut, J.H. Ermer, R.A. Sherif, N.H. Karam. In: Proc. 4th Int. Conf. Solar Concentrators (El Escorial, Spain, 2007)
  2. S.R. Kurtz, J.M. Olson, D.J. Friedman, J.F. Geisz, K.A. Bertness, A.E. Kibbler. In: Proc. Compound Semiconductor Surface Passivation and Novel Device Processing Symp., ed. by H. Hasegawa, M. Hong, Z.H. Lu and S.J. Pearton (Materials Research Society, Warrendale, 1999) p. 95
  3. S.I. Wojtczuk, S.M. Vernon, M.M. Sanfacon. In: Proc. 23th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (1993) p. 655
  4. A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantranov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516 (20), 6739 (2008)
  5. M.Z. Shvarts, P.Y. Gazaryan, N.A. Kaluzhniy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantranov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, N.K. Timoshina. In: Proc. 21th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, 2006)
  6. В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 41, 751 (2007) [V.M. Lantratov, N.A. Kaluzhniy, S.A. Mintairov, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Semiconductors, 41, 727 (2007)]
  7. R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC-4 (Hawaii, USA, 2006)
  8. S.M. Sze. Physcics of Semiconductor Devices, 2nd edn (John Wiley \& Sons, N.Y., 1981)
  9. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  10. D.P. Bour, J.R. Shealy, G.W. Wicks, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 50, 615 (1987)
  11. C.-S. Jiang, D.J. Friedman, H.R. Moutinho, M.M. Al-Jassim. In: Proc. 2006 IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Waikoloa, Hawaii, 2006) p. 853
  12. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  13. T. Shitara, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 65, 356 (1994)
  14. M. Ikeda, K. Kaneko. J. Appl. Phys., 66, 5285 (1989)
  15. D.C. Look, D.K. Lorance, J.R. Sizelove, C.E. Stutz, K.R. Evans, D.W. Whitson. J. Appl. Phys., 71, 260 (1992)
  16. M.-J. Yang, M. Yamaguchi, T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurita, M. Ohmori. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 45, 331 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.