Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP
Гудовских А.С.1, Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Андреев В.М.1
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Проведены исследования влияния свойств границ раздела фосфидов атомов III группы на характеристики фотопреобразователей на основе GaInP. Показано, что большая величина разрыва валентных зон на границе p-GaAs/p-AlInP создает фундаментальные ограничения для использования слоев p-AlInP в качестве широкозонного окна в p-n-структурах фотопреобразователей, работающих при высоких уровнях концентрации солнечного излучения. Показана потенциальная возможность улучшения характеристик фотопреобразователей на основе p-n-структур при использовании двухслойного широкозонного окна, состоящего из слоев p-Al0.8Ga0.2As и p-(Al0.6Ga0.4)0.51In0.49P. PACS: 73.20.At, 73.40.Kp, 84.60.Jt
- R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, D.D. Krut, J.H. Ermer, R.A. Sherif, N.H. Karam. In: Proc. 4th Int. Conf. Solar Concentrators (El Escorial, Spain, 2007)
- S.R. Kurtz, J.M. Olson, D.J. Friedman, J.F. Geisz, K.A. Bertness, A.E. Kibbler. In: Proc. Compound Semiconductor Surface Passivation and Novel Device Processing Symp., ed. by H. Hasegawa, M. Hong, Z.H. Lu and S.J. Pearton (Materials Research Society, Warrendale, 1999) p. 95
- S.I. Wojtczuk, S.M. Vernon, M.M. Sanfacon. In: Proc. 23th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (1993) p. 655
- A.S. Gudovskikh, N.A. Kaluzhniy, V.M. Lantranov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Thin Sol. Films, 516 (20), 6739 (2008)
- M.Z. Shvarts, P.Y. Gazaryan, N.A. Kaluzhniy, V.P. Khvostikov, V.M. Lantranov, S.A. Mintairov, S.V. Sorokina, N.K. Timoshina. In: Proc. 21th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Dresden, 2006)
- В.М. Лантратов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 41, 751 (2007) [V.M. Lantratov, N.A. Kaluzhniy, S.A. Mintairov, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Semiconductors, 41, 727 (2007)]
- R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt. Proc. 4th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC-4 (Hawaii, USA, 2006)
- S.M. Sze. Physcics of Semiconductor Devices, 2nd edn (John Wiley \& Sons, N.Y., 1981)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- D.P. Bour, J.R. Shealy, G.W. Wicks, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 50, 615 (1987)
- C.-S. Jiang, D.J. Friedman, H.R. Moutinho, M.M. Al-Jassim. In: Proc. 2006 IEEE 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Waikoloa, Hawaii, 2006) p. 853
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
- T. Shitara, K. Eberl. Appl. Phys. Lett., 65, 356 (1994)
- M. Ikeda, K. Kaneko. J. Appl. Phys., 66, 5285 (1989)
- D.C. Look, D.K. Lorance, J.R. Sizelove, C.E. Stutz, K.R. Evans, D.W. Whitson. J. Appl. Phys., 71, 260 (1992)
- M.-J. Yang, M. Yamaguchi, T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurita, M. Ohmori. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 45, 331 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук