"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
Пихтин А.Н.1, Хегази Х.Х.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Приведена удобная для практического применения методика расчетов спектров фундаментального поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон. Методика базируется на знании спектров собственного поглощения составляющих твердый раствор бинарных соединений, учитывает непараболичность зоны проводимости и содержит всего один дополнительный "подгоночный параметр", определяющий неоднородное уширение спектров. Она апробирована на наиболее изученных и важных в прикладном отношении твердых растворах AlxGa1-xAs, изорешеточном с GaAs (AlxGa1-x)0.5In0.5P, изорешеточном с InP GaxIn1-xAs и может быть применена к другим соединениям как AIIIBV, так и AIIBVI. Полученные результаты позволяют рассчитать спектры собственной люминесценции твердых растворов. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.Cr, 78.66.Fd
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1016; 1545 (1968)
  • А.Н. Пихтин. Оптическая и квантовая электроника (М., Высш. шк., 2001, 2009)
  • H.C. Casey, jr., D.D. Sell, K.W. Wecht. J. Appl. Phys., 46, 250 (1975)
  • S.S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Numerical Data and Graphical Information (Kluwer Academic, Boston, 1999)
  • Handbook of Optical Constants of Solids I and II, ed. by E.D. Palik (Academic Press, San Diego, 1998)
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  • Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss and U. Rossler [ Landolt--Bornstein, New Series, Group III: v. 17, pt A (Springer, Berlin, 1982); v. 22, pt A (Springer, Berlin, 1987); v. 41, pt B (Springer, Berlin, 2002)]
  • S.S. Adachi. J. Appl. Phys., 53, 5863 (1982)
  • A.D. Rakic, M.L. Majewski. J. Appl. Phys., 80, 5909 (1996)
  • J. Zheng, C.-H. Lin, C.H. Kuo. J. Appl. Phys., 82, 782 (1997)
  • F.L. Terry, jr. J. Appl. Phys., 70, 409 (1991)
  • C.C. Kim, J.W. Garland, P.M. Raccah. Phys. Rev. B, 47, 1876 (1993)
  • Y.W. Jung, T.J. Kim, J.J. Yoon, Y.D. Kim, D.E. Aspnes. J. Appl. Phys., 104, 13 515 (2008)
  • J. Bardeen, F.J. Blatt, L.H. Hall. Photoconductivity conference (Wiley, N.Y., 1954) p. 36
  • T.S. Moss. Optical properties of semiconductors (Butterworths, London, 1959) p. 36
  • P.K. Chakraborty, L.J. Singh, K.P. Ghatak. J. Appl. Phys., 95, 5311 (2004)
  • D.D. Sell, H.C. Casey. J. Appl. Phys., 45, 800 (1974)
  • C. Chezzi, R. Magnanini, A. Parisini, B. Rotelli, L. Tanicone, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 52, 1463 (1995)
  • Y. Chang, C.H. Grein, S. Sivananthan, M.E. Flatte, V. Nathan, S. Guha. Appl. Phys. Lett., 89, 62 109 (2006)
  • А.Н. Пихтин. ФТП, 11, 425 (1977)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
  • Ж.И. Алфёров, Е.Л. Портной, А.А. Рогачев. ФТП, 2, 1194 (1968)
  • В. Берндт, А.А. Копылов, А.Н. Пихтин. ФТП, 11, 2206 (1977)
  • А.А. Копылов, А.Н. Пихтин. ФТП, 15, 2164 (1981)
  • Г.Ф. Глинский, М.В. Лупал, И.И. Парфенова, А.Н. Пихтин. ФТП, 26, 641 (1992)
  • F.R. Bacher, J.S. Blakemore, J.T. Ebner, J.R. Arthur. Phys. Rev. B, 37, 2551 (1988)
  • H. Burkhard, H.W. Dinges, E. Kuphal. J. Appl. Phys., 53, 655 (1982)
  • S. Ozaki, S. Adachi, M. Sato, K. Ohtsuka. J. Appl. Phys., 79, 439 (1996)
  • A.N. Pikhtin, O.L. Lazarenkova. In: Handbook of Electroluminescent Materials, ed. by D.R. Vij (Institute of Physics Publishing, Bristol, 2004) p. 282
  • L.H. Robins, J.T. Armstrong, R.B. Marinenko, A.J. Paul, J.G. Pellegrino. J. Appl. Phys., 93, 3747 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.