"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K
Петровская А.Н.1, Зубков В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Приведены результаты исследования гетероструктур с одиночными напряженнными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик в широком интервале температур и частот измерительного сигнала. На основе анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля основных носителей заряда и предложена количественная модель данного явления. Определено влияние неполной ионизации примеси на величину заряда в квантовых ямах, определяемого из эксперимента. С помощью моделирования и подгонки вольт-фарадных характеристик установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs состава x=0.225 в диапазоне температур от 320 до 100 K остается постоянным и равным 172±10 мэВ. PACS: 73.40.Kp, 73.21.Fg, 81.07.St, 73.63.Hs
  1. В.М. Устинов. ФТП, 38, 963 (2004)
  2. F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
  3. M. Weyers, A. Bhattacharya, F. Bugge, A. Knauer. In: Topics Appl. Phys., ed. by R. Diehl (Berlin/Heidelberg, Springer, 2000) v. 78, p. 83
  4. В.И. Зубков, И.С. Шулгунова, А.В. Соломонов, M. Geller, A. Marent, D. Bimberg, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, В.М. Устинов. Изв. РАН. Сер. физ., 71 (1), 111 (2007)
  5. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., ООО "Техномедиа" Изд-во "Элмор", 2007)
  6. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70 (7), 075 312 (2004)
  7. А.Н. Кузнецова, В.И. Зубков. Матер. XIV Межд. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники)" (М., ОАО ЦНИТИ "Техномаш", 2008) с. 320
  8. В.И. Зубков. ФТП, 41 (3), 331 (2007)
  9. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов. Тез. докл. 6-й Росс. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2008) с. 181
  10. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  11. V.I. Zubkov, C.M.A. Kapteyn, A.V. Solomonov, D. Bimberg. J. Phys.: Condens. Matter, 17, 2435 (2005)
  12. H. Kroemer, Chien Wu-Yi, J.S. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36 (4), 295 (1980)
  13. S. Subramanian, B.M. Arora, A.K. Srivastava, G. Fernandes, S. Banerjee. J. Appl. Phys., 74, 7618 (1993)
  14. H.v. Wenckstern, H. Schmidt, R. Pickenhain, M. Grundmann. Proc. 26th Int. Conf. Physics of Semiconductor (ICPS-26), (IoP Publishing, Bristol, 2002) Ser. 171, p. H12
  15. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, London, 1999) v. 2
  16. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.