"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния
Семёнов А.В.1, Лопин А.В.1, Пузиков В.М.1, Борискин В.Н.2
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный научный центр "Физико-технический институт" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Изучено влияние облучения электронами на оптические и электрофизические свойства нанокристаллических пленок карбида кремния ромбоэдрических политипов 21R-SiC и 27R-SiC. Проведены циклы облучения нанокристаллических пленок SiC на подложках из сапфира электронами с энергией 10 МэВ в диапазоне флюэнсов 5·1014-9·1019 см-2. Установлено, что при дозах облучения менее 1019 см-2 оптическое поглощение пленок в области энергий фотонов E>Eg становится меньше оптического поглощения необлученных пленок. Установлено, что зависимость энергии Урбаха от дозы облучения имеет минимум при дозе 1017 см-2 для пленок 27R-SiC и при 5·1017 см-2 для пленок 21R-SiC, что свидетельствует о радиационном упорядочении пленок. При увеличении дозы более 5·1017 см-2 и вплоть до 9·1019 см-2 в пленках наблюдаются рост энергии Урбаха и уменьшение оптической щели, что обусловлено повышением концентрации радиационных дефектов. PACS: 81.40.Wx, 61.82.Rx, 78.40.Fy, 78.66.Li, 78.67.Bf
  1. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, SiC, SiGe; ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (N. Y., John Wiley \& Sons, 2001) p. 197
  2. Е.В. Калинина. ФТП, 41, 769 (2007)
  3. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36, 1354 (2002)
  4. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  5. H. Inui, H. Mori, H. Tuiuta. Phil. Mag. B, 61, 107 (1990)
  6. V.B. Pinheiro, T. Linger, F. Candepon, S. Greulich-weber, J.M. Spaeth. Mater. Sci. Forum, N 457--460, 517 (2004)
  7. T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Sharmann, H. Ovehof. Phys. Rev., 56, 7384 (1997)
  8. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  9. A.V. Semenov, A.V. Lopin, V.M. Puzikov. Surface, X-Ray, Synchrotron and Neutron Research, N 9, 99 (2004)
  10. A.V. Semenov, V.M. Puzikov, M.V. Dobrotvorskaya, A.G. Fedorov, A.V. Lopin. Thin Sol. Films, N 516, 2899 (2008)
  11. А.В. Семенов, В.М. Пузиков, Е.П. Голубова, В.Н. Баумер, М.В. Добротворская. ФТП, 43, 714 (2009)
  12. M.I. Ayzatsky, Yu.I. Akchurin, V.I. Beloglasov, E.Z. Biller, V.N. Boriskin, V.A. Gurin, N.V. Demidov, A.N. Dovbnya, B.P. Krivchikov, V.B. Myfel, V.A. Popenko, V.A. Kushnir, S.P. Levandovsky, V.V. Mitrochenko, D.L. Stepin, V.A. Shendrik, A.N. Savchenko, L.E. Tolstoi, B.A. Terehov, Yu.D. Tur, V.A. Vishnyakov, V.L. Uvarov, A.V. Zavada. Proc. 14th Conf. on Charged Particle Accelerators (Protvino, Russia, 1994) v. 4, p. 259
  13. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
  14. F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
  15. D.R. Hamilton, Lyle Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev., 138, A1472 (1965)
  16. С.М. Зубкова, Л.Н. Русина, Е.В. Смелянская. ФТП, 37, 257 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.