"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Подавление переходов между расщепленными уровнями трехбарьерных структур переменным пространственным зарядом
Пашковский А.Б.1
1ФГУП НПП "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Найдено аналитическое решение нестационарных самосогласованных уравнений Шредингера и Пуассона, описывающих резонансные переходы электронов между расщепленными уровнями симметричных трехбарьерных структур в слабом высокочастотном электрическом поле. Обнаружено, что с ростом толщины барьеров особенности взаимодействия электронов на вырожденных уровнях с полем переменного пространственного заряда приводят к резкому уменьшению вероятности переходов между уровнями, а соответственно и высокочастотной проводимости трехбарьерных структур. PACS: 73.40.-c, 73.63.Hs, 72.30.+q, 72.20.Ht
  1. V.M. Volohov, C.A. Tolstun, B. Ivlev. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 386 211 (2007)
  2. М.Ю. Сумецкий, М.Л. Фельштын. Письма ЖЭТФ, 53 (1), 24 (1991)
  3. M. Butiker, R. Landauer. Phys. Rev. Lett., 49 (23), 1739 (1982)
  4. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский. ФТП, 36 (3), 330 (2002)
  5. Е.И. Голант, А.Б. Пашковский, А.С. Тагер. Письма ЖТФ, 20 (21), 74 (1994)
  6. А.Б. Пашковский. Письма ЖЭТФ, 64 (12), 829 (1996)
  7. А.Б. Пашковский. ФТП, 34 (3), 341 (2000)
  8. T.C.L.G. Sollner et al. Appl. Phys. Lett., 43 (6), 588 (1985)
  9. E.R. Brown et al. Appl. Phys. Lett., 55 (17), 1777 (1989)
  10. А.Б. Пашковский. ЖЭТФ, 109 (5), 1779 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.