"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Николаев Д.Н.1, Соколова З.Н.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Представлены результаты фотолюминесцентных исследований гетероструктур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs. Показано, что интенсивность фотолюминесценции в зависимости от толщины квантовой ямы имеет максимум, положение которого зависит от состава твердого раствора InxGa1-xAs. Длина волны фотолюминесценции при максимальной интенсивности составила 1.13 мкм при толщине квантовой ямы 60 Angstrem и 1.14 мкм при толщине 50 Angstrem для x=0.39 и x=0.42 соответственно. PACS: 42.55.Px, 78.55.Cr, 78.67.De
  1. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
  2. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  3. F. Heinrichsdroff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 22 (1997)
  4. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  5. E.C. Le Ru, P. Howe, T.S. Jones, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 165 303 (2003)
  6. D.A. Livshits, A.Y. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36 (16), 1381 (2000)
  7. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M.C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, K. Uomi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (3), 719 (1997)
  8. N. Tansu, J.-Y. Yeh, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 82 (23), 4038 (2003)
  9. В.В. Шамахов, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.А. Капитонов, С.А. Зорина, Д.Н. Николаев, А.В. Мурашова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 31 (23), 1 (2005)
  10. Z.H. Zhu, R. Zhou, F.E. Ejeckam, Z. Zhang, J. Zhang, J. Greenberg, Y.H. Lo, H.Q. Hou, B.E. Hammons. Appl. Phys. Lett., 72 (20), 2598 (1998)
  11. T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol., 40 (9), 877 (2005)
  12. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  13. A.A. Marmalyuk, O.I. Govorkov, A.V. Petrovsky, D.B. Nikitin, A.A. Padalitsa, P.V. Bulaev, I.V. Budkin, I.D. Zalevsky. J. Cryst. Growth, 237- 239, 264 (2002)
  14. S. Adachi. J. Appl. Phys., 53 (12), 8775 (1982)
  15. K.-H. Goetz, D. Bimberg, H. Jurgensen, J. Selders, A.V. Solomonov, G.F. Glinskii, M. Razeghi. J. Appl. Phys., 54 (8), 4543 (1983)
  16. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  17. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  18. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.Н. Арсентьев, А.Д. Бондарев, М.К. Трукан, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (10), 1247 (2007)
  19. Quantum Well Lasers, ed. by P.S. Zory, jr. (Academic Press, 1993) p. 373
  20. В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, В.В. Красовский. ФТП, 20 (10), 1816 (1986)
  21. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101 (1), 327 (1992)
  22. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 33 (7), 858 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.