Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров
Богословский Н.А.1, Цэндин К.Д.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. PACS: 71.20.Nr, 71.23.-k, 71.23.Cq, 71.55.Jv
- К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
- D. Adler, M.S. Shur, M. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51 (6), 3289 (1980)
- P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
- K.D. Tsendin. J. Opt. Adv. Mater., 10 (9), 3035 (2007)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 22 (37), 1504 (1976)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997) гл. 10
- В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 2319 (1986)
- В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22, 262 (1988)
- К.Д. Цэндин. Физика и химия стекла, 4 (26), 495 (2000)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Физматлит, 2004) т. 3, с. 209
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
