"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров
Богословский Н.А.1, Цэндин К.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Рассмотрено поведение U-минус центров в сильных электрических полях. Показано, что многофононная туннельная ионизация U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках приводит к существенному увеличению числа электронов проводимости и, как следствие, к сильной нелинейности вольт-амперной характеристики. Данный механизм нелинейности хорошо объясняет экспериментально наблюдаемую вольт-амперную характеристику халькогенидных стеклообразных полупроводников, используемых в настоящее время в качестве ячеек памяти. PACS: 71.20.Nr, 71.23.-k, 71.23.Cq, 71.55.Jv
  1. К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
  2. D. Adler, M.S. Shur, M. Silver, S.R. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51 (6), 3289 (1980)
  3. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  4. K.D. Tsendin. J. Opt. Adv. Mater., 10 (9), 3035 (2007)
  5. M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 22 (37), 1504 (1976)
  6. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997) гл. 10
  7. В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 2319 (1986)
  8. В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 22, 262 (1988)
  9. К.Д. Цэндин. Физика и химия стекла, 4 (26), 495 (2000)
  10. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Физматлит, 2004) т. 3, с. 209

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.