"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge2Sb2Te5 в сильных электрических полях
Лебедев Э.А.1, Козюхин С.А.2, Константинова Н.Н.1, Казакова Л.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0.5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge2Sb2Te5, который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I propto Un с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma0exp(F/F0), где F0=6·104 B·см-1, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10-3-10-2 см2/B·c. PACS: 71.55.Jv, 73.40.Sx, 72.80.Ng, 73.20.Jc
  1. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. РЭ, 8, 2097 (1963)
  2. S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  3. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами. ФТП, 3, 731 (1969)
  4. D. Adler, H.K. Henisch, N. Mott. Rev. Mod. Phys., 50, 209 (1978)
  5. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. ФТП, 5, 1568 (1971)
  6. Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. Тр. 6-й Межд. конф. по жидким и аморфным полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 177
  7. A.L. Lacaita. Solid-State Electron., 50, 24 (2006)
  8. Н.Х. Абрикосов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
  9. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  10. T.L. Hartke. Phys. Rev., 125 (4), 1177 (1952)
  11. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. ФТП, 1 (6), 815 (1967)
  12. A. Redaelli, A. Pirovano, F. Pellizzer, A.L. Lacaita, D. Ielmini, R. Bez. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (10), 684 (2004)
  13. A. Pirovano, A.L. Lacaita, F. Pellizzer, S.A. Kostylev, A. Benevenuti, R. Bez. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (5), 714 (2004)
  14. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. Тр. 6-й Межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 240
  15. Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. ФТП, 15 (8), 1511 (1981)
  16. E. Voronkov. J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
  17. R.M. Hill. Phil. Mag., 23, 59 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.