Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 4 » Статья стр. 411
<<<>>>
Инфракрасные спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) с фазой упорядочения AlGaAs2
Домашевская Э.П.1, Середин П.В.1, Лукин А.Н.1, Битюцкая Л.А.1, Гречкина М.В.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
PDF версия
Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациями Al в металлической подрешетке. В спектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
  1. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  2. Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring Thorpe. J. Appl. Phys., 81, 1683 (1997)
  3. S. Gehrsitz, H. Sigg, N. Herres, K. Bachem, K. Kuhler, F.K. Reinhart. Phys. Rev. B, 60, 11 601 (1999)
  4. T.S. Kuan, T.F. Kuech, W.I. Wang. Phys. Rev. Lett., 54, 201 (1985)
  5. B. Koiller, A.M. Davidovich. Phys. Rev. Lett., 41, 3670 (1990)
  6. E. Muller, B. Patterson. PSI annual report 2000. www.physik.unizh.ch/reports/report2000.html.
  7. B.D. Pattreson et al. PSI annual report 1997. www.physik.unizh.ch/reports/report1999.html.
  8. B.D. Patterson, H. Auderset. C. Bronnimann, U. Staub, M. Moser, A. Vonlanthen, P. Pattison, K. Knudsen, R. Mathiessen. PSI annual report 1997. www.physik.unizh.ch/reports/report1999.html
  9. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 3, 354 (2005)
  10. Alex Zunger. MRS-IRS bulletin (1997). http://www.sst.nrel. gov/images/mrs97
  11. M. Ilegems, G.L. Pearson. Phys. Rev. B, 1 (4), 1576 (1970)
  12. I.F. Chang, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 2 (4), 1215 (1970)
  13. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  14. H.W. Verleur. JOSA, 58, 1356 (1968)
  15. Л.К. Водопьянов, С.П. Козырев, Ю.Г. Садофьев. ФТТ, 41 (6), 982 (1999)
  16. С.П. Козырев. ФТТ, 36 (10), 3008 (1994)
  17. А. Пуле, Ж.-П. Матье. Колебательные спектры и симметрия кристаллов (М., Мир, 1973)
  18. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1
  19. Монокристаллические пленки, ред. З.Г. Пинскер (М., Мир, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme