"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe
Мигаль В.П.1, Фомин А.С.1
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 15 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

В кристаллах CdZnTe, содержащих многообразие структурных неоднородностей, выявлены спектральная, временная и пространственная неустойчивости фотоэлектрического отклика I. Показано, что их характер и взаимосвязь наиболее ярко проявляются в диаграммах dI(t)/dt=fl(I(t)r) и dI(nu)/dnu=fl(I(nu)r) (nu - частота, t - время), на которых хорошо видны процессы, протекающие при срыве устойчивости. PACS: 72.40.+w, 61.72.Hh, 61.66.Fh
  1. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35, 139 (2001)
  2. И.А. Клименко, В.П. Мигаль. ФТП, 36, 397 (2002)
  3. V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Mygal, O. Panchuk, A. Rybka. Nuclear Instr. Meth. Phys. Res., 458 (1--2), 113 (2001)
  4. В.П. Мигаль, И.А. Клименко, А.С. Фомин. Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии (Харьков, Изд-во "ХАИ", 2004) вып. 23, с. 63

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.