Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe
Мигаль В.П.1, Фомин А.С.1
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
В кристаллах CdZnTe, содержащих многообразие структурных неоднородностей, выявлены спектральная, временная и пространственная неустойчивости фотоэлектрического отклика I. Показано, что их характер и взаимосвязь наиболее ярко проявляются в диаграммах dI(t)/dt=fl(I(t)r) и dI(nu)/dnu=fl(I(nu)r) (nu - частота, t - время), на которых хорошо видны процессы, протекающие при срыве устойчивости. PACS: 72.40.+w, 61.72.Hh, 61.66.Fh
- И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35, 139 (2001)
- И.А. Клименко, В.П. Мигаль. ФТП, 36, 397 (2002)
- V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Mygal, O. Panchuk, A. Rybka. Nuclear Instr. Meth. Phys. Res., 458 (1--2), 113 (2001)
- В.П. Мигаль, И.А. Клименко, А.С. Фомин. Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии (Харьков, Изд-во "ХАИ", 2004) вып. 23, с. 63
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
