Фотопроводимость и люминесценция в монокристалле CuInSe2 при высоком уровне возбуждения
Гусейнов А.Г.1, Салманов В.М.1, Мамедов Р.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. В спектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной. PACS: 72.40.+w, 78.55.-m
- N. Romeo. J. J. Appl. Phys., 19, 5 (1980)
- J. Gonzalez, C. Rincon, A. Redondo, P. Negrete. J. J. Appl. Phys., 19, 29 (1980)
- Г.Б. Абдуллаев, Г.П. Беленький, С.М. Рывкин, В.М. Салманов, Ю.А. Шаронов, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 5, 374 (1971)
- А.Г. Гусейнов, В.И. Тагиров, Заак Хосин, Деббаш Джамель, Д.А. Талыбова. ВИНИТИ "Депонированные научные работы", 9, 141 (1990)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- A. Opanowicz. Acta Phys. Polon., A71, 39 (1987)
- А.Г. Гусейнов, Д.А. Талыбова, Заак Хосин, Деббаш Джамель. Излучательная рекомбинация неравновесных носителей заряда в CuInSe2. ВИНИТИ "Депонированные научные работы", N 1472-Aз, с. 6 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.