"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость и люминесценция в монокристалле CuInSe2 при высоком уровне возбуждения
Гусейнов А.Г.1, Салманов В.М.1, Мамедов Р.М.1
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 30 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Исследованы люксамперные и спектральные характеристики фотолюминесценции монокристаллов CuInSe2. Суперлинейная область интенсивной зависимости фотопроводимости при низких уровнях возбуждения в компенсированных кристаллах p-CuInSe2 объясняется на базе рекомбинационной модели. В спектре фотолюминесценции n-CuInSe2 полоса излучения 0.98 эВ соответствует излучательной рекомбинации электронов донорного уровня с глубиной залегания 0.04 эВ. Максимум интенсивности полосы соответствует энергетическому зазору между уровнем прилипания и валентной зоной. PACS: 72.40.+w, 78.55.-m
  1. N. Romeo. J. J. Appl. Phys., 19, 5 (1980)
  2. J. Gonzalez, C. Rincon, A. Redondo, P. Negrete. J. J. Appl. Phys., 19, 29 (1980)
  3. Г.Б. Абдуллаев, Г.П. Беленький, С.М. Рывкин, В.М. Салманов, Ю.А. Шаронов, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 5, 374 (1971)
  4. А.Г. Гусейнов, В.И. Тагиров, Заак Хосин, Деббаш Джамель, Д.А. Талыбова. ВИНИТИ "Депонированные научные работы", 9, 141 (1990)
  5. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  6. A. Opanowicz. Acta Phys. Polon., A71, 39 (1987)
  7. А.Г. Гусейнов, Д.А. Талыбова, Заак Хосин, Деббаш Джамель. Излучательная рекомбинация неравновесных носителей заряда в CuInSe2. ВИНИТИ "Депонированные научные работы", N 1472-Aз, с. 6 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.