"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм
Зотова Н.В.1, Ильинская Н.Д.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Шленский А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения 1.94 мкм при 300 K) в температурном диапазоне 77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
  1. Л.М. Долгинов, А.Е. Дракин, П.Г. Елисеев, Т.В. Бердникова, М.Г. Мильвидский, В.П. Орлов, Ю.А. Пантелеев, Б.Н. Свердлов, Е.Г. Шевченко. Квантовая электроника, 5, 2499 (1978)
  2. L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii. Cryst. Technik, 13, 631 (1978)
  3. V. Rakovics, J. Balazs, S. Puspoki, C. Frigeri. Mater. Sci. Eng., B80, 18 (2001)
  4. А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38, 1399 (2004)
  5. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 996 (2003)
  6. A. Krier, S.A. Bissit, N.J. Mason, R.J. Nicholas, S. Salesse, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 9, 87 (1994)
  7. A. Krier, D. Chub, S.E. Krier, M. Hopkinson, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 145, 292 (1998)
  8. M. Peter, R. Kiefer, F. Fuchs, N. Herres, K. Winkler, K.-H. Bachem, J. Wagner. Appl. Phys. Lett., 74, 1951 (1999)
  9. Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 239 (1999).
  10. B. Andrews. Тезисы конференции MIOMD-VI (St. Petersburg, 2004) с. 90
  11. R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962)
  12. M.A. Remennyi, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Sens. Actuators B: Chemical, 91, 256 (2003)
  13. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002)
  14. A. Mooradian, H.Y. Fan. Phys. Rev., 148 (2), 873 (1966)
  15. H. Benistry, H. De Neve, C. Weibuch. IEEE J. Quant. Electron., 34, 1612 (1998)
  16. T. Ashley, N.T. Gordon, T.J. Phillips. J. Mod. Optics, 46, 1677 (1999)
  17. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, M. Remennyi, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 927 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.