"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора
Пожела Ю.К.1, Мокеров В.Г.2
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
  • J. Pov zela. Physics of High-Speed Transistors (Plenum Press, N. Y.--London, 1993.)
  • I. Vosylius, I. Levinson. Zhurn. Exp. Theor Fiz., 50, 1660 (1966); Fiz. Tverd. Tela, 10, 1462 (1968)
  • G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
  • N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  • I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  • J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Semicond. Sci. Technol., 10, 1076, 1555 (1995)
  • J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unax, K. Pozv ela. Physica E, 5, 108 (1999)
  • B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
  • B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. on Physics of Semiconductors (Berlin, 1966) (World Sci., Singapore, 1966) p. 1807
  • G.B. Galiev, V.E. Kaminskii, V.A. Kul'bachinskii. In: Micro- and Nanoelectronics 2003, ed. by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky [Proc. SPIE, (SPIE, Bellingham, WA, 2004) v. 5401, p. 466]
  • Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 34, 1053 (2000) [J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Semiconductors, 34, 1011 (2000)]
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N. Y., John Willey \& Sons, 1999) p. 122
  • H. Sakaki, G. Yusa, T. Someya, Y. Ohno, T. Noda, H. Akiyama, Y. Kadoya, H. Noge. Appl. Phys. Lett., 67, 3444 (1995)
  • P. Redkozubov, D.Yu. Ivanov, Yu.V. Dubrovskii, A. Levin, A. Neumann, L. Eaves, M. Henini. In: Proc. 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2003) (Ioffe Inst., 2003) p. 404
  • В.Г. Мокеров, Ю.К. Пожела, Ю.В. Федоров. ФТП, 37, 1248 (2003) [V.G. Mokerov, Yu.K. Pozela, Yu.V. Fedorov. Semiconductors, 37, 1217 (2003)]
  • Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (7), 890 (2003)
  • Г.Г. Зегря, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев. ФТП, 37 (3), 334 (2003)
  • K. Thronber. J. Appl. Phys., 52, 279 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.