"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора
Пожела Ю.К.1, Мокеров В.Г.2
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
  1. J. Pov zela. Physics of High-Speed Transistors (Plenum Press, N. Y.--London, 1993.)
  2. I. Vosylius, I. Levinson. Zhurn. Exp. Theor Fiz., 50, 1660 (1966); Fiz. Tverd. Tela, 10, 1462 (1968)
  3. G. Hill, P.N. Robson. Sol. St. Electron., 25, 589 (1982)
  4. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  5. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  6. J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Semicond. Sci. Technol., 10, 1076, 1555 (1995)
  7. J. Pov zela, V. Juciene, A. Namaj\=unax, K. Pozv ela. Physica E, 5, 108 (1999)
  8. B.K. Ridley. Phys. Rev. B, 39, 5282 (1989)
  9. B.K. Ridley, M. Babiker, N.A. Zakhleniuk, C.R. Bennett. In: Proc. 23rd Int. Conf. on Physics of Semiconductors (Berlin, 1966) (World Sci., Singapore, 1966) p. 1807
  10. G.B. Galiev, V.E. Kaminskii, V.A. Kul'bachinskii. In: Micro- and Nanoelectronics 2003, ed. by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky [Proc. SPIE, (SPIE, Bellingham, WA, 2004) v. 5401, p. 466]
  11. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 34, 1053 (2000) [J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene. Semiconductors, 34, 1011 (2000)]
  12. D. Bimberg, M. Grundmann, N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N. Y., John Willey \& Sons, 1999) p. 122
  13. H. Sakaki, G. Yusa, T. Someya, Y. Ohno, T. Noda, H. Akiyama, Y. Kadoya, H. Noge. Appl. Phys. Lett., 67, 3444 (1995)
  14. P. Redkozubov, D.Yu. Ivanov, Yu.V. Dubrovskii, A. Levin, A. Neumann, L. Eaves, M. Henini. In: Proc. 11th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2003) (Ioffe Inst., 2003) p. 404
  15. В.Г. Мокеров, Ю.К. Пожела, Ю.В. Федоров. ФТП, 37, 1248 (2003) [V.G. Mokerov, Yu.K. Pozela, Yu.V. Fedorov. Semiconductors, 37, 1217 (2003)]
  16. Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алферов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (7), 890 (2003)
  17. Г.Г. Зегря, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев. ФТП, 37 (3), 334 (2003)
  18. K. Thronber. J. Appl. Phys., 52, 279 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.