"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe О б з о р
Мынбаев К.Д.1, Иванов-Омский В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Приводится обзор литературы по легированию эпитаксиальных слоев твердых растворов HgCdTe и гетероструктур на их основе. Анализируются основные изменения в технологии легирования HgCdTe, произошедшие при переходе от приборных структур, изготовленных на основе объемного материала, к структурам на основе эпитаксиальных пленок. Рассмотрена специфика легирования эпитаксиальных слоев HgCdTe при выращивании их методами жидкофазной эпитаксии, газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений и молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен анализ электрических свойств легированного материала. Кратко анализируются современные представления о собственных дефектах в HgCdTe и их влиянии на свойства этого материала. PACS: 61.72.Ss, 61.72.Yx, 66.30.Tt, 66.30.Lw, 68.55.Ln
  • A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
  • В.П. Пономаренко. УФН, 173, 649 (2003)
  • C.R. Becker, X.C. Zhang, K. Ortner, J. Schmidt, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, Y.S. Gui, V. Daumer, J. Liu, H. Buhmann, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Thin Sol. Films, 412, 129 (2002)
  • H.R. Vydyanath. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1716 (1991)
  • H.R. Vydyanath. J. Cryst. Growth, 161, 64 (1996)
  • Y. Selamet, A. Ciani, C.H. Grein, S. Sivananthan. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 4795, 8 (2002)
  • В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. Автометрия, N 3, 9 (2001)
  • B.L. Williams, H.G. Robinson, C.R. Helms. J. Electron. Mater., 27, 583 (1998)
  • M.H. Aquirre, H. Canepa, N. Walsoe de Reca. J. Appl. Phys., 92, 5745 (2002)
  • P. Triboulet, J.P. Chatard, P. Costa, A. Manissadjian. J. Cryst. Growth, 184--185, 1262 (1998)
  • I.S. Virt, G.M. Khlyap, M.E. Bilyk, P. Shkumbatiuk, M. Kuzma, M. Bester. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5136, 430 (2003)
  • M. Chu, Y. Chang, Z. Huang, Y. Gui, X.G. Wang, X.F. Lu, L. He, D. Tang. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 4795, 52 (2002)
  • H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2619 (1981)
  • M. Boukerche, J. Reno, I.K. Sou, C. Hsu, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 48, 1733 (1986)
  • G.N. Pain, T. McAllister. Semicond. Sci. Technol., 7, 231 (1992)
  • В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
  • H.G. Robinson, M.A. Berding, W.J. Hamilton, K. Kosai, T. DeLyon, W.B. Johnson, B.J. Walker. J. Electron. Mater., 29, 657 (200)
  • Y. Marfaing. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1444 (1992)
  • G.N. Pain. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1485 (1992)
  • J. Wong, R.J. Roedel. J. Vac. Sci. Technol. A, 9, 2258 (1991)
  • К.Е. Миронов, В.И. Иванов-Омский, К.Д. Мынбаев. ФТП, 24, 582 (1990)
  • G. Weck, K. Wandel. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 3023 (1994)
  • P. Capper, C.D. Maxey, C.L. Jones, J.E. Gower, E.S. O'Keefe, D. Shaw. J. Electron. Mater., 28, 637 (1999)
  • I.A. Denisov, V.M. Lakeenkov, O.K. Jouravlev. J. Electron. Mater., 27, 648 (1998)
  • К.Р. Курбанов, В.В. Богобоящий. Конденсир. среды и межфазные границы, 1, 245 (1999)
  • К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. Письма ЖТФ, 29 (15), 87 (2003)
  • Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969) [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (Morth-Holland, Amsterdam, 1964)]
  • M.A. Berding. J. Electorn. Mater., 29, 664 (2000)
  • D. Shaw. Phys. Status. Solidi (a), 89, 173 (1985)
  • Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, 1984)
  • H.R. Vydyanath, F. Aqariden, P.S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan, G. Chambers, L. Becker. J. Electron. Mater., 27, 504 (1998)
  • C.H. Swartz, R.P. Tomkins, N.C. Gilers, T.H. Myers, D.D. Edwall, J. Ellsworth, E. Piquette, J. Arias, M. Berding, S. Krishhamurthy, I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Electron. Mater., 33, 728 (2004)
  • V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
  • D.D. Edwall, R.E. De Wames, W.V. McLevige, J.G. Pasko, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 27, 698 (1998)
  • P.S. Wijewarnasuriya, J.P. Faurie, S. Sivananthan. J. Cryst. Growth, 159, 1136 (1996)
  • C.D. Maxey, I.G. Gale, J.B. Clegg, P.A.C. Whiffin. Semicond. Sci. Technol., 8, S183 (1993)
  • V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev. Opto-Electron. Rev., 11 (2), 99 (2003)
  • Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 306, 253 (1997)
  • S. Murakami, T. Okamoto, K. Maruyama, H. Takigawa. Appl. Phys. Lett., 63, 899 (1993)
  • P. Mitra, Y.L. Tyan, T.R. Schimert, F.C. Case. Appl. Phys. Lett., 65, 195 (1994)
  • R.G. Benz II, A. Conte-Matos, B.K. Wagner, C.J. Summers. Appl. Phys. Lett., 65, 2836 (1994)
  • P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler. J. Cryst. Growth, 170, 542 (1997)
  • J.H. Song, J.w. Kim, M.J. Park, J.S. Kim, K.U. Jung, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, 184--185, 1232 (1998)
  • F. Goschenhofer, J. Gerschutz, A. Pfeuffer-Jeschke, R. Hellmig, C.R. Becker, G. Landwehr. J. Electron. Mater., 27, 532 (1998)
  • C.D. Maxey, J.P. Camplin, I.T. Guilfoy, J. Gardner, R.A. Lockett, C.L. Jones, P. Capper, M. Houlton, N.T. Gordon. J. Electron. Mater., 32, 656 (2003)
  • P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine. Journ. Electron. Mater., 27, 510 (1998)
  • M. Zandian, A.C. Chen, D.D. Edwall, J.G. Pasko, J.M. Arias. Appl. Phys. Lett., 71, 2815 (1997)
  • F. Aqariden, H.D. Shih, M.A. Kinch, H.F. Schaake. Appl. Phys. Lett., 78, 3481 (2001)
  • P.S. Wijewarnasuriya, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 72, 1694 (1998)
  • P. Mitra, T.R. Shimert, F.C. Case, S.L. Barnes, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler, M. Kestigian. J. Electron. Mater., 24, 1077 (1995)
  • M.J. Bevan, M.C. Chen, H.D. Shih. Appl. Phys. Lett., 67, 3450 (1995)
  • P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, C.H. Grein, J.P. Faurie, S. Sivananthan. J. Cryst. Growth, 175--176, 647 (1997)
  • X.H. Shi, S. Rujirawat, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 73, 638 (1998)
  • A.C. Chen, M. Zandian, D.D. Edwall, R.E. De Wames, P.S. Wijewarnasuriya, J.M. Arias, S. Sivananthan, M. Berding, A. Sher. J. Electron. Mater., 27, 595 (1998)
  • L.H. Zhang, S.D. Pearson, W. Tong, B.K. Wagner, J.D. Benson, C.J. Summers. J. Electron. Mater., 27, 600 (1998)
  • T.S. Lee, J. Garland, C.H. Grein, M. Sumstine, A. Jandeska, Y. Selamet, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29, 869 (2000)
  • Y. Selamet, C.H. Grein, T.S. Lee, S. Sivananthan. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1488 (2001)
  • P. Boieriu, Y. Chen, V. Nathan. J. Electron. Mater., 31, 694 (2002)
  • D. Chandra, H.F. Schaake, M.A. Kinch, F. Aqariden, C.F. Wan, D.F. Weirauch, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 31, 715 (2002)
  • L.A. Almeida. J. Electron. Mater., 31, 660 (2002)
  • A. Vlasov, V. Bogoboyashchyy, O. Bonchyk, A. Barcz. Cryst. Res. Technol., 1, 11 (2004)
  • A.P. Vlasov, B.S. Sokolovskii, L.S. Monastyrskii, O.Yu. Bonchyk, A. Barcz. Thin Sol. Films, 459, 28 (2004)
  • D.D. Edwall, E. Piquette, J. Ellsworth, J. Arias, C.H. Swartz, L. Bai, R.P. Tomkins, N.C. Giles, T.H. Myers, M. Berding. J. Electron. Mater., 33, 752 (2004)
  • M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde. J. Electron. Mater., 24, 1127 (1995)
  • M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde, A.C. Chen, J. Arias. J. Electron. Mater., 27, 605 (1998)
  • M.A. Berding, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 74, 685 (1999)
  • H.F. Schaake. J. Appl. Phys., 88, 1765 (2000)
  • H.F. Schaake. J. Electron. Mater., 30, 789 (2001)
  • S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, L.O. Bubulac, R.E. De Wames. J. Electron. Mater., 24, 609 (1995)
  • C.H. Grein, J.W. Garland, S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, M. Fuchs. J. Electron. Mater., 28, 789 (1999)
  • S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, H.R. Vydyanath, M. Zandian, D.D. Edwall, J.M. Arias. J. Electron. Mater., 26, 625 (1997)
  • P. Capper. Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds. EMIS Data Reviews Series, No. 10, ed. P. Capper (INSPEC, London, 1994) p. 246
  • S. Krishnamurthy, T.N. Casselman. J. Electron. Mater., 29, 828 (2000)
  • M.A. Kinch, D. Chandra, H.F. Schaake, H.-D. Shih, F. Aqariden. J. Electron. Mater., 33, 590 (2004)
  • П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1203 (2004); П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
  • A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra. J. Electron. Mater., 33, 737 (2004)
  • Y. Selamet, Y.D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C.R. Becker, R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 33, 503 (2004)
  • M. Chu, S. Terterian, P.C.C. Wang, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, D.-S. Pan. Proc. SPIE Opt. Soc. Eng., 4454, 116 (2001)
  • A. Uedono, K. Ozaki, H. Ebe, T. Moriya, S. Tanigawa, K. Yamamoto, Y. Miyamoto. Jap. J. Appl. Phys., 36, 6661 (1997)
  • H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 214--215, 275 (2000)
  • K. Ortner, X.C. Zhang, S. Oehling, J. Gerschutz, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Hock, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Appl. Phys. Lett., 79, 3980 (2001)
  • K. Ortner, X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 66, 075 322 (2002)
  • C.R. Becker, X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, V. Daumer, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. J. Alloys Comp., 371, 6 (2004)
  • X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001)
  • D. Chandra, H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, F. Aqariden, M.A. Kinch, A.J. Syllaios. J. Electron. Mater., 29, 729 (2000)
  • V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov. J. Alloys Comp., 371, 97 (2004)
  • D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11 (2), 169 (2000)
  • N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5136, 424 (2003)
  • E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986)
  • W. Hoerstel, A. Klimakow, R. Kramer. J. Cryst. Growth, 101, 854 (1990)
  • Y.L. Tyan, T.R. Schimert, L.T. Claiborne. J. Vac. Sci. Technol. B., 10, 1560 (1992)
  • V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 8, 634 (1993)
  • S. Terterian, M. Chu, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, M. Ngo, C.C. Wang. J. Electron. Mater., 31, 720 (2002)
  • N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, Yu.S. Ilyina, A.P. Vlasov. Surf. and Coat. Technol., 158-- 159, 732 (2002)
  • N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov. Phys. Status Solidi (b), 229, 279 (2002)
  • К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
  • K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii. J. Alloys Comp., 371, 153 (2004)
  • В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000)
  • M.A. Berding. M. Van Schilfgaarde, A. Sher. Phys. Rev. B, 50, 1519 (1994).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.