"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны и оптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой и видимой области спектра
Белогорохов А.И.1, Флоренцев А.А.1, Белогорохов И.А.2, Пашкова Н.В.1, Елютин А.В.1
1Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать состав x и y данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09<x<0.22, 0.02<y<0.17. PACS: 78.20.Ci, 71.20.Nr
  1. N.L. Bazhenov, V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, V.F. Movile. ФТП, 22, 1258 (1988)
  2. K. Takita, N. Uchino, K. Masuda. Semicond. Sci. Technol., 5, S277 (1990)
  3. G.G. Tarasov, Yu.I. Mazur, M.P. Lisitsa, S.R. Lavoric, A.S. Rakitin, J.W. Tomm, A.P. Litvinchuk. Semicond. Sci. Technol., 14, 187 (1999)
  4. Н.П. Гавалешко, В.В. Тетеркин, Ф.Ф. Сизов, С.Ю. Паранчич. Неорг. матер., 28, 2276 (1992)
  5. S. Takeyama, S. Narita. J. Phys. Soc. Japan, 55, 274 (1986)
  6. О.А. Боднарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, А.Ф. Слонецкий. ФТП, 34, 430 (2000)
  7. А.М. Андрухив, К.Е. Миронов. Высокочистые вещества, 2, 139 (1993)
  8. S.N. Ekpenuma, C.W. Myles. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 321 (1989)
  9. A. Andrukhiv, G. Khlyap, M. Andrukhiv. J. Cryst. Growth, 198/199, 1162 (1999)
  10. P. Sydorchuk, G. Khlyap, M. Andrukhiv. Cryst. Res. Technol, 36, 361 (2001)
  11. А.М. Андрухив, О.А. Гадаев, В.И. Иванов-Омский, Э.И. Цидильковский. ФТП, 27, 348 (1993)
  12. Y.V. Bezsmolnyy. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 458, 461 (2001)
  13. В.А. Тягай, О.В. Снитко, Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
  14. P. Koppel. J. Appl. Phys., 57, 1705 (1985)
  15. T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  16. C.K. Williams, T.H. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn. J. Electron. Mater., 7, 639 (1978)
  17. S.E. Ostapov, O.A. Bodnaruk, I.N. Gorbatiuk, I.M. Rarenko. School-Conf. PPMSS (Chernivtsi, Ruta, 1995)
  18. G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
  19. K. Joswikowski, A. Rogalski. Infrared Phys., 28, 101 (1988)
  20. J. Lee, N.G. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. Phys. Rev. B, 49, 668 (1994)
  21. R. Granger. Properties of Narrow Gap Semiconductors, ed. P. Capper (London, INSPEC, IEE, 1994)
  22. L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29, 6752 (1984)
  23. E.M. Larramendi, E. Puron, O. de Melo. Semicond. Sci. Technol., 17, 8 (2002)
  24. А.И. Белогорохов, Ю.А. Пусеп. Препринт ИФП СО РАН, N 13, 1 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.