"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в p-CdZnTe
Пляцко С.В.1, Рашковецкий Л.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< Eg и плотностью мощности W, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) с низкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия и W, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. В стабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv
  • А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова. ФТП, 33 (5), 549 (1999)
  • H.R. Vydyanath, J. Ellsworth, J.J. Kennedy, B. Dean, C.J. Johnson, G.T. Neugebauer, J. Sepich, P.K. Liao. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (4), 1476 (1992)
  • Li Wanwan, Sang Wenbiv, Min Jigua, Fang Yu, Bin Zhang, Kunsu Wang. Semicond. Sci. Technol., 17, 155 (2002)
  • R. Triboulet, A. Durand, P. Gall, J. Bonaffe, J.P. Fillard, S.K. Krawczyk. J. Cryst. Growth, 117, 227 (1992)
  • Li Yujie, Jie Wanqil. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 10 183 (2002)
  • Yu.S. Gromovoj, F.F. Sizov, S.V. Playtsko, S.D. Darchuk. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 6625 (1989)
  • В.П. Кладько, С.В. Пляцко. Письма ЖТФ, 22 (2), 32 (1996)
  • С.В. Пляцко, В.П. Кладько. ФТП, 31 (10), 1206 (1997)
  • С.В. Пляцко. ФТП, 36 (6), 666 (2001)
  • А.Р. Лубченко, В.Н. Павлович. Препринт ИТФ АН УССР (Киев, 1976)
  • I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Technol., 17, 1064 (2002)
  • С.В. Пляцко. ФТП, 34 (9), 1046 (2000)
  • J. Zizine. In: Radiation effects in semiconductors, ed. by F.L. Vook (Plenum, N.Y., 1968) p. 186
  • Ж. Бургуен, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985). [Пер. с англ.: J. Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. II. Experimental aspects, ed. by M. Cardona (Berlin Helderberg--N.Y., Springer--Verlag, 1983)]
  • А.И. Белогорохов. ФТТ, 34 (4), 1045 (1992)
  • P.M. Amirtharai, F.N. Pollak. Appl. Phys. Lett., 45 (7), 789 (1984)
  • X. Mathev. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 76, 225 (2003)
  • T.E. Schlesinger, J.E. Toney, H. Yoon, E.Y. Lee, B.A. Brunett, L. Franks, R.B. James. Mater. Sci. Eng., 32, 103 (2001)
  • М. Лано, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: J Bourgoin, M. Lannoo. Point defects in semiconductors. I. Theoretical aspects, ed. by M. Cardona (Berlin--Helderberg--N.Y., Springer--Verlag, 1981)]
  • V.T. Bublik. Phys. Status Solidi A, 45, 543 (1978)
  • G.F. Neumark. J. Appl. Phys., 51, 3383 (1980)
  • E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnear. Phys. Rev. B, 30, 3334 (1984)
  • J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41, 12 035 (1990)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979) с. 48
  • T.J. Magee, J. Peng, J. Bean. Phys. Status Solidi A, 27, 557 (1975)
  • F.A. Selim, V. Svaminathan, F.A. Kroger. Phys. Status Solidi A, 29, 465 (1975)
  • Y. Zidon, Jihua Yang, Yoram. Appl. Phys. Lett., 81 (3), 436 (2002)
  • J.R. Heffelfinger, D.L. Madlin, R.B. James. Mater. Res. Soc., 487, 33 (1998)
  • A.E. Rakhshani, Y. Makdisi. Phys. Status Solidi A, 179, 213 (2000)
  • A.E. Rakhshani. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 9115 (1999)
  • M. Fiederle, D. Ebling, C. Eiche, D.M. Hofma, M. Salk, W. Stadler, K.W. Benz, B.K. Mayer. J. Cryst. Growth, 138, 529 (1994)
  • А.М. Прохоров, П.М. Томчук, Р.Д. Федорович, Н.И. Чаплиев, В.А. Яковлев. Препринт 291, ИОФ АН СССР (М., 1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.