"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления
Горский П.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая --- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3 порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd
  • J.M. Harper, T.H. Geballe. Phys. Lett. A, 54, 27 (1975)
  • В.В. Павлович, Э.М. Эпштейн. ФТП, 19, 1760 (1976)
  • C. Zeller, G.M.T. Foley, E.R. Falardeau, F.L. Vogel. Mater. Sci. Eng., 31, 255 (1977)
  • А.И. Кононов, Ю.В. Копаев. ФТТ, 16, 1122 (1974)
  • Ю.А. Изюмов, В.М. Лаптев, В.Н. Сыромятников. ФММ, 77, 17 (1994)
  • Э.А. Пашицкий, А.С. Шпигель. ФНТ, 4, 976 (1978)
  • П.В. Горский. Вестн. Харьков. ун-та "Внутренние и внешние задачи электродинамики", N 227, 33 (1982)
  • П.В. Горский, И.Я. Кановский, М.В. Ницович. Физическая электроника, 27, 102 (1983)
  • И.М. Лифшиц, А.М. Косевич. ЖЭТФ, 29, 730 (1955)
  • В.В. Андреев, А.М. Косевич. ЖЭТФ 39, 741 (1960)
  • А. Исихара. Статистическая физика (М., Мир, 1973)
  • В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  • Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешеткой (М., Наука, 1989)
  • М.В. Карцовник, П.А. Кононович, В.М. Лаухин, И.Ф. Щеголев. Письма ЖЭТФ, 48, 498 (1988)
  • В.Г. Песчанский. ЖЭТФ, 121, 1204 (2002)
  • F.J.Di Salvo. Ferroelectrics, 17, 361 (1977)
  • J.H. Schon, Ch. Kloe, B. Battlog. Nature, 408, 970 (2000)
  • J.H. Schon, Ch. Kloe, B. Battlog. Science, 293, 2432 (2001).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.