"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления
Горский П.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая --- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3 порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd
  1. J.M. Harper, T.H. Geballe. Phys. Lett. A, 54, 27 (1975)
  2. В.В. Павлович, Э.М. Эпштейн. ФТП, 19, 1760 (1976)
  3. C. Zeller, G.M.T. Foley, E.R. Falardeau, F.L. Vogel. Mater. Sci. Eng., 31, 255 (1977)
  4. А.И. Кононов, Ю.В. Копаев. ФТТ, 16, 1122 (1974)
  5. Ю.А. Изюмов, В.М. Лаптев, В.Н. Сыромятников. ФММ, 77, 17 (1994)
  6. Э.А. Пашицкий, А.С. Шпигель. ФНТ, 4, 976 (1978)
  7. П.В. Горский. Вестн. Харьков. ун-та "Внутренние и внешние задачи электродинамики", N 227, 33 (1982)
  8. П.В. Горский, И.Я. Кановский, М.В. Ницович. Физическая электроника, 27, 102 (1983)
  9. И.М. Лифшиц, А.М. Косевич. ЖЭТФ, 29, 730 (1955)
  10. В.В. Андреев, А.М. Косевич. ЖЭТФ 39, 741 (1960)
  11. А. Исихара. Статистическая физика (М., Мир, 1973)
  12. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  13. Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешеткой (М., Наука, 1989)
  14. М.В. Карцовник, П.А. Кононович, В.М. Лаухин, И.Ф. Щеголев. Письма ЖЭТФ, 48, 498 (1988)
  15. В.Г. Песчанский. ЖЭТФ, 121, 1204 (2002)
  16. F.J.Di Salvo. Ferroelectrics, 17, 361 (1977)
  17. J.H. Schon, Ch. Kloe, B. Battlog. Nature, 408, 970 (2000)
  18. J.H. Schon, Ch. Kloe, B. Battlog. Science, 293, 2432 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.