"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
Арсентьев И.Н.1, Бобыль А.В.1, Борковская О.Ю.2, Винокуров Д.А.1, Дмитрук Н.Л.2, Каримов А.В.3, Кладько В.П.2, Конакова Р.В.2, Конников С.Г.1, Мамонтова И.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 104 см-2. В частности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны 0.65 мкм была выше на 150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности. PACS: 68.55.Ce, 68.55.Df, 81.60.Cp, 85.30.Kk, 85.60.Dw
  • Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  • V.M. Andreev. In: Photovoltaic and Photoactive Materials. Properties, Technology and Application, ed. by Y.M. Marshall, D. Dimova-Malinovska (Kluwer Acad. Publ., London, 2002) v. 80, p. 131.
  • Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, И.Б. Мамонтова. Письма ЖТФ, 69 (6), 132 (1999)
  • N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, I.N. Kmitruk et al. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 76, 625 (2003)
  • Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко и др. Письма ЖТФ, 25 (21), 15 (1999)
  • А.А. Ситникова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников и др. ФТП, 39 (5), 552 (2005)
  • В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков и др. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
  • А.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  • A.A. Akopyan, O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk et al. Photoconventers with AlGaAs/As heterojunction on textured GaAs substrates (Tashkent, Fan Publishers, 2004)
  • N. Dmitruk, I. Dmitruk, J. Domagala et al. J. Alloys \& Comp., 286, 289 (1999)
  • O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk, V.G. Lyapin et al. Thin Sol. Films, 451/452, 402 (2004)
  • В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев и др. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)
  • И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль и др. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.