"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
Арсентьев И.Н.1, Бобыль А.В.1, Борковская О.Ю.2, Винокуров Д.А.1, Дмитрук Н.Л.2, Каримов А.В.3, Кладько В.П.2, Конакова Р.В.2, Конников С.Г.1, Мамонтова И.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Разработаны газофазная и жидкофазная технологии эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs(100) с развитой площадью поверхности. На подложках изготавливались слои пористого GaAs, а также создавались микрорельефы дендритного и решеточного типа. Для оценки качества слоев проведены сопоставительные исследования морфологии поверхности и рентгеноструктурные исследования. Далее были разработаны фотопреобразователи на основе этих слоев. Лучшие параметры показали приборы на основе слоев с микрорельефом подложки дендритного типа, которые имели среди исследованных образцов наибольшее развитие площади рабочей поверхности, а плотность дислокаций в слое составляла 104 см-2. В частности, внешняя квантовая эффективность фотопреобразователей на длине волны 0.65 мкм была выше на 150% по сравнению с контрольными образцами, изготовленными на гладкой поверхности. PACS: 68.55.Ce, 68.55.Df, 81.60.Cp, 85.30.Kk, 85.60.Dw
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  2. V.M. Andreev. In: Photovoltaic and Photoactive Materials. Properties, Technology and Application, ed. by Y.M. Marshall, D. Dimova-Malinovska (Kluwer Acad. Publ., London, 2002) v. 80, p. 131.
  3. Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, И.Б. Мамонтова. Письма ЖТФ, 69 (6), 132 (1999)
  4. N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, I.N. Kmitruk et al. Sol. Energy Mater. \& Solar Cells, 76, 625 (2003)
  5. Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко и др. Письма ЖТФ, 25 (21), 15 (1999)
  6. А.А. Ситникова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников и др. ФТП, 39 (5), 552 (2005)
  7. В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков и др. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
  8. А.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  9. A.A. Akopyan, O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk et al. Photoconventers with AlGaAs/As heterojunction on textured GaAs substrates (Tashkent, Fan Publishers, 2004)
  10. N. Dmitruk, I. Dmitruk, J. Domagala et al. J. Alloys \& Comp., 286, 289 (1999)
  11. O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk, V.G. Lyapin et al. Thin Sol. Films, 451/452, 402 (2004)
  12. В.В. Евстропов, М. Джумаева, Ю.В. Жиляев и др. ФТП, 34 (11), 1357 (2000)
  13. И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль и др. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.