"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Кузнецов В.П.1, Ремизов Д.Ю.2, Шабанов В.Н.1, Рубцова Р.А.1, Степихова М.В.2, Крыжков Д.И.2, Шушунов А.Н.1, Белова О.В.1, Красильник З.Ф.2, Максимов Г.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

В диодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда (ОПЗ), а также от толщины ОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкую ОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочке Er. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированных Er. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрами Er. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk
  1. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  2. A. Reittinger, G. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 70 (18), 2431 (1997)
  3. W.-X. Ni, C.-X. Du, F. Duteil, G. Pozina, G.V. Hansson. Thin Sol. Films, 369, 414 (2000)
  4. M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 78, 210 (2001)
  5. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81 (6), 2784 (1997)
  6. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73 (1), 93 (1998)
  7. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34 (9), 1069 (2000)
  8. В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
  9. А.С. Перов, В.М. Перова, В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 28 (1988)
  10. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, С.В. Седова, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Е.В. Демидов. ФТТ, 47 (1), 99 (2005)
  11. C. Erginsoy. Phys. Rev., 79 (6), 1013 (1950)
  12. Y. Ocuto and C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 18, 161 (1975)
  13. В. Шокли. УФН, 77, 161 (1962)
  14. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  15. S.M. Sze, G. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 8, 111 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.