Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Кузнецов В.П.1, Ремизов Д.Ю.2, Шабанов В.Н.1, Рубцова Р.А.1, Степихова М.В.2, Крыжков Д.И.2, Шушунов А.Н.1, Белова О.В.1, Красильник З.Ф.2, Максимов Г.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.
В диодных структурах Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~10-7 мбар при температуре 520-580oC, исследована интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм при комнатной температуре в зависимости от концентрации и распределения эрбия и донорных примесей в области объемного заряда (ОПЗ), а также от толщины ОПЗ. Найдены пути получения электролюминесценции в диодах, имеющих широкую ОПЗ (0.1-1 мкм). Найдены длина пробега электронов при взаимодействии с центрами Er и значение пороговой энергии свободного электрона, необходимой для возбуждения электрона в оболочке Er. Экспериментально определены значения напряженности электрического поля при пробое кремниевых p-i-n-диодов, легированных и нелегированных Er. Предложена модель взаимодействия горячих электронов с центрами Er. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.Kk
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
- A. Reittinger, G. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 70 (18), 2431 (1997)
- W.-X. Ni, C.-X. Du, F. Duteil, G. Pozina, G.V. Hansson. Thin Sol. Films, 369, 414 (2000)
- M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 78, 210 (2001)
- G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys., 81 (6), 2784 (1997)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett., 73 (1), 93 (1998)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34 (9), 1069 (2000)
- В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46, 110 (2004)
- А.С. Перов, В.М. Перова, В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 28 (1988)
- В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, С.В. Седова, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Е.В. Демидов. ФТТ, 47 (1), 99 (2005)
- C. Erginsoy. Phys. Rev., 79 (6), 1013 (1950)
- Y. Ocuto and C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 18, 161 (1975)
- В. Шокли. УФН, 77, 161 (1962)
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- S.M. Sze, G. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 8, 111 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
