"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки
Рожанский И.В.1, Закгейм Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. В результате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттере AlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.
  1. T. Mukai, M.Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
  2. M.Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, 1431 (2002)
  3. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37 (9), 1131 (2003)
  4. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева6 Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  5. V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi (c), 2 (7), 2928 (2005)
  6. X.A. Cao, S.F. LeBoeuf, M.P. D'Evelyn, S.D. Arthur, J. Kretchmer, C.H. Yan, Z.H. Yang. Appl. Phys. Lett., 84 (21), 4313 (2004)
  7. А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33 (2), 224 (1999)
  8. M.G. Cheong, E.-K. Suh, H.J. Lee, M. Dawson. Semicond. Sci. Technol., 17 (5), 446 (2002)
  9. А.Л. Закгейм. Светодиоды и лазеры, 1-2, 33 (2002)
  10. A. Zakauskas, R. Gaska, M. Shur. Introduction to Solid-State Lighting (John Wiley \& Sons Inc., 2002)
  11. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94, 3675 (2003)
  12. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)ю
  13. T.A. Davis. UMFPACK Version 4.4 User Guide, http://www.cise.ufl.edu/research/sparse/umfpack/ (2005)
  14. Z.P. Guan, J.Z. Li, G.Y. Zhang, S.X. Jin, X.M. Ding. Semicond. Sci. Technol., 15, 51 (2000)
  15. M.L. Nakarmi, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 80 (7), 1210 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.