Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода с малой площадью выпрямляющего контакта

Емельянов А.М.¹, Забродский В.В.¹, Забродская Н.В.¹, Соболев Н.А.¹, Суханов В.Л.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При комнатной температуре и плотностях тока (J) через p-n-переход площадью 0.008 мм² до J=36 кА/см² исследована электролюминесценция (ЭЛ) Si-диода в области межзонных переходов. На линейном участке зависимости интенсивности ЭЛ от тока кинетика спада ЭЛ описывалась экспонентой с постоянной времени tau_d~35 мкс. При J>2.5 кА/см² зависимость интенсивности ЭЛ от тока становилась сублинейной, а кинетика спада описывалась экспонентой с такой же tau_d, только после начального более быстрого участка спада ЭЛ. Наблюдаемые при J>2.5 кА/см² закономерности могут быть связаны с существенным вкладом в безызлучательную рекомбинацию, наряду с механизмом Шокли-Рида-Холла, оже-рекомбинации. Показана возможность создания Si-светодиодов с излучаемой мощностью до ~50 мВт при площади излучающей поверхности около 6 мм². PACS: 78.60.Fi, 85.40.Ls, 85.60.Dw

M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
Th. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 453 (2002)
А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, S. Pizzini. ФТП, 36, 1307 (2002)
А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова, S. Pizzini. ФТП, 37, 756 (2003)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, В.И. Вдовин. ФТТ, 46, 39 (2004)
А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТТ, 46, 44 (2004)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Physica B, B 340--342, 1031 (2003)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Sol. St. Phenomena, 95--96, 283 (2004)
А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова. ФТП, 38, 634 (2004)
А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968) гл. 4, с. 150
M.S. Tyagi, R. Van Overstraeten. Sol. St. Electron., 26, 577 (1983)
А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979) гл. 6, с. 584

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель