"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода с малой площадью выпрямляющего контакта
Емельянов А.М.1, Забродский В.В.1, Забродская Н.В.1, Соболев Н.А.1, Суханов В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

При комнатной температуре и плотностях тока (J) через p-n-переход площадью 0.008 мм2 до J=36 кА/см2 исследована электролюминесценция (ЭЛ) Si-диода в области межзонных переходов. На линейном участке зависимости интенсивности ЭЛ от тока кинетика спада ЭЛ описывалась экспонентой с постоянной времени taud~35 мкс. При J>2.5 кА/см2 зависимость интенсивности ЭЛ от тока становилась сублинейной, а кинетика спада описывалась экспонентой с такой же taud, только после начального более быстрого участка спада ЭЛ. Наблюдаемые при J>2.5 кА/см2 закономерности могут быть связаны с существенным вкладом в безызлучательную рекомбинацию, наряду с механизмом Шокли--Рида--Холла, оже-рекомбинации. Показана возможность создания Si-светодиодов с излучаемой мощностью до ~50 мВт при площади излучающей поверхности около 6 мм2. PACS: 78.60.Fi, 85.40.Ls, 85.60.Dw
  • M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  • Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  • Th. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  • А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 453 (2002)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, S. Pizzini. ФТП, 36, 1307 (2002)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова, S. Pizzini. ФТП, 37, 756 (2003)
  • Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, В.И. Вдовин. ФТТ, 46, 39 (2004)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТТ, 46, 44 (2004)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Physica B, B 340--342, 1031 (2003)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Sol. St. Phenomena, 95--96, 283 (2004)
  • А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова. ФТП, 38, 634 (2004)
  • А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968) гл. 4, с. 150
  • M.S. Tyagi, R. Van Overstraeten. Sol. St. Electron., 26, 577 (1983)
  • А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979) гл. 6, с. 584
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.