Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос носителей заряда в структуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации

Иванов А.М.¹, Лебедев А.А.¹, Строкан Н.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 декабря 2005 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

PDF версия

Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией 8 МэВ при дозе 10¹⁴ см^-2. По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдере ЦЕРНа (SLHC). Использовалась техника ядерной спектрометрии с тестированием детекторов alpha-частицами с энергией 5.4 МэВ. С учетом произошедшей в ходе облучения глубокой компенсации проводимости SiC предлагается включать структуру в нетрадиционном пропускном направлении. В этом режиме ход напряженности электрического поля по координате детектора оказывается более однородным. Для обработки данных эксперимента предложена наглядная модель транспорта носителей. PACS: 07.77.Ka; 87.66.Pm

S.M. Ryvkin, L.L. Makovski, N.B. Strokan, V.P. Subashieva, A.K. Khusainov. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-15, N 3, 226 (1968)
V. Eremin, N. Strokan, E. Verbitskaya, Z. Lee. Nucl. Instrum. Meth., A372, 188 (1996)
В.К. Еремин, С.Г. Даненгирш, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 556 (1974)
G.L. Miller, W.M. Gibson. Nucl. Electron., 1, 477 (1962)
K. Hecht. Z. Phys., 77, 235 (1932)
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 39 (12), 1443 (2005)
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, А.А. Лебедев, В.В. Козловский, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 38, 841 (2004)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005)
N.B. Strokan, A.M. Ivanov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M. Syvajarvi, R. Yakimova. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 1025 (2005)
V.V. Kozlovski, E.V. Bogdanova, V.V. Emtsev, K.V. Emtsev, A.A. Lebedev, V.N. Lomasov. Mater. Sci. Forum, 483-- 485, 385 (2005).
Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, M. Syvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 39, 1443 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель