Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs

Ромака В.А.¹, Стаднык Ю.В.², Шеляпина М.Г.³, Фрушарт Д.⁴, Чекурин В.Ф.¹, Ромака Л.П.², Гореленко Ю.К.²

¹Институт прикладных проблем математики и механики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
²Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

³Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

⁴Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция

Поступила в редакцию: 2 марта 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr_1-xSc_xNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик-металл при изменении состава Zr_1-xSc_xNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника. PACS: 71.30.+n, 71.28.+d, 72.20.Pa, 72.20.-i, 75.20.-g

S.J. Poon. Adv. Phys., 41, 303 (1992)
M.A. Kouacou, J. Pierre, R.V. Skolozdra. J. Phys. B: Condens. Matter, 7, 7373 (1995)
H. Hohl, A.P. Ramirez, C. Goldmann, G. Ernst, B. Wolfing, E. Buchert. J. Phys. B: Condens. Matter, 11, 1697 (1999)
C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. 59, 8615 (1999)
J. Tobola, J. Pierre, S. Kaprzyk, R.V. Skolozdra, M.A. Kouacou. J. Phys.: Condens. Matter, 10, 1013 (1998)
Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 45, 535 (1987)
Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Физика низких температур, 12, 498 (1987)
Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 47, 151 (1988)
F.G. Aliev, N.B. Brandt, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, V.V. Kozyrkov, R.V. Skolozdra, A.I. Belogorokhov. J. Phys. B: Condens. Matter, 75, 167 (1989)
F.G. Aliev, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, R.V. Skolozdra, K. Durczewski. J. Phys. B: Condens. Matter, 80, 353 (1990)
A. Horyn, O. Bodak, L. Romaka, Yu. Gorelenko, A. Tkachuk. V. Davydov, Yu. Stadnyk. J. Alloys Comp., 363, 10 (2004)
K. Kaczmarska, J. Pierre, J. Tobola, R.V. Skolozdra. Phys. Rev. B, 60, 373 (1999)
Y. Kawaharada, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uno, S. Ymanaka. J. Alloys Comp., 384, 308 (2004)
S. Katasuyama, H. Matsushima, M. Ito. J. Alloys Comp., 385, 232 (2004)
Р.В. Сколоздра. Станниды переходных и редкоземельных элементов (Львов, Мир, 1993)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials(Oxford, Clarendon Press, 1979)]
L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12^thEur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155
L. Romaka, Yu. Stadnyk, M.G. Shelyapina, V.S. Kasperovich, D. Fruchart, A. Horyn. J. Alloys Comp., (2005) to be published
S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
A.J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель