"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs
Ромака В.А.1, Стаднык Ю.В.2, Шеляпина М.Г.3, Фрушарт Д.4, Чекурин В.Ф.1, Ромака Л.П.2, Гореленко Ю.К.2
1Институт прикладных проблем математики и механики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
4Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 2 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr1-xScxNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик-металл при изменении состава Zr1-xScxNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника. PACS: 71.30.+n, 71.28.+d, 72.20.Pa, 72.20.-i, 75.20.-g
  1. S.J. Poon. Adv. Phys., 41, 303 (1992)
  2. M.A. Kouacou, J. Pierre, R.V. Skolozdra. J. Phys. B: Condens. Matter, 7, 7373 (1995)
  3. H. Hohl, A.P. Ramirez, C. Goldmann, G. Ernst, B. Wolfing, E. Buchert. J. Phys. B: Condens. Matter, 11, 1697 (1999)
  4. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. 59, 8615 (1999)
  5. J. Tobola, J. Pierre, S. Kaprzyk, R.V. Skolozdra, M.A. Kouacou. J. Phys.: Condens. Matter, 10, 1013 (1998)
  6. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 45, 535 (1987)
  7. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Физика низких температур, 12, 498 (1987)
  8. Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, Р.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 47, 151 (1988)
  9. F.G. Aliev, N.B. Brandt, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, V.V. Kozyrkov, R.V. Skolozdra, A.I. Belogorokhov. J. Phys. B: Condens. Matter, 75, 167 (1989)
  10. F.G. Aliev, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, R.V. Skolozdra, K. Durczewski. J. Phys. B: Condens. Matter, 80, 353 (1990)
  11. A. Horyn, O. Bodak, L. Romaka, Yu. Gorelenko, A. Tkachuk. V. Davydov, Yu. Stadnyk. J. Alloys Comp., 363, 10 (2004)
  12. K. Kaczmarska, J. Pierre, J. Tobola, R.V. Skolozdra. Phys. Rev. B, 60, 373 (1999)
  13. Y. Kawaharada, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uno, S. Ymanaka. J. Alloys Comp., 384, 308 (2004)
  14. S. Katasuyama, H. Matsushima, M. Ito. J. Alloys Comp., 385, 232 (2004)
  15. Р.В. Сколоздра. Станниды переходных и редкоземельных элементов (Львов, Мир, 1993)
  16. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  17. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials(Oxford, Clarendon Press, 1979)]
  18. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12thEur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155
  19. L. Romaka, Yu. Stadnyk, M.G. Shelyapina, V.S. Kasperovich, D. Fruchart, A. Horyn. J. Alloys Comp., (2005) to be published
  20. S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
  21. A.J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.