"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Устойчивость фотоотклика кристаллов Cd1-xZnxTe
Комарь В.К.1, Мигаль В.П.2, Сулима С.В.1, Фомин А.С.2
1НТК "Институт монокристаллов", Институт сцинтилляционных материалов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Разнообразие и характер распределения дефектов структуры, а также флуктуации состава обусловливают индивидуальность и неустойчивость фотоотклика I детекторов и спектрометров на основе Cd1-xZnxTe при интенсивных воздействиях или при экстремальных условиях эксплуатации. Показано, что они наиболее полно отражаются в дифференциальных спектральных характеристиках I(hnu) и построенных на их основе диаграммах dI/dnu=f(I). PACS: 72.40.+w, 77.22.Ch
  1. V. Komar, A. Gektin, D. Nalivaiko, I. Klimenko, V. Mygal, O. Panchuk, A. Rybka. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 458 (1--2), 113 (2001)
  2. В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19, 517 (1985)
  3. V.K. Komar, V.P. Migal, O.N. Chugai, V.M. Puzikov, D.P. Nalivaiko, N.N. Grebenyuk. Appl. Phys. Lett., 81, 4195 (2002)
  4. И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко. ФТП, 35, 139 (2001)
  5. И.А. Клименко, В.П. Мигаль. ФТП, 36, 397 (2002)
  6. В.П. Мигаль, И.А. Клименко, А.С. Фомин. Открытые информационные и компьютерные интегрированные технологии (Харьков, Изд-во "ХАИ", 2004) вып. 23, с. 63

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.