"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe
Блецкан Д.И.1, Мадяр Й.Й.1, Кабаций В.Н.2
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
2Мукачевский технологический институт, Мукачево, Украина
Поступила в редакцию: 12 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

-1 Изучены поляризационные спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe, с нарушенной стехиометрией и легированных Bi, выращенных методом статической сублимации. В спектрах специально не легированных кристаллов GeSe при 293 K в области края собственного поглощения выявлены два сильно поляризованных максимума при энергиях фотонов hnumax=1.35 эВ ( E|| a) и hnumax=1.44 эВ ( E|| b), обусловленных оптическими переходами Vv1-> Vc1 и Deltav2-> Deltac1 соответственно. В области низких температур выявлена экситонная фотопроводимость с максимумом при hnumax=1.32 эВ, связанная с диссоциацией экситонов на катионных вакансиях. С увеличением избытка Se в кристаллах наблюдалось резкое увеличение интенсивности экситонного максимума в спектрах фотопроводимости. Показано, что эффективным средством управления электрическими и фотоэлектрическими свойствами кристаллов GeSe является легирование их донорной примесью Bi. Несмотря на то, что при введении Bi в моноселенид германия не происходит инверсии типа проводимости с p на n, наблюдается резкое увеличение удельного сопротивления, фотоочувствление кристаллов и появление в спектрах фотопроводимости интенсивной примесной полосы с максимумом на 1.11 эВ. PACS: 72.40.+w, 61.66.Fn
  1. Д.И. Блецкан. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе (Ужгород, ОАО "Издательство Закарпатье", 2004) т. 1
  2. H. Wiedemeier, P.A. Siemers. Z. Anorg. Allg. Chem., 411 (1), 90 (1975)
  3. С.Г. Карбанов, Е.А. Статнова, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. Вестн. МГУ. Сер. Химия, 13 (5), 531 (1972)
  4. S. Asanabe, A. Okazaki. J. Phys. Soc. Japan, 6, 989 (1960)
  5. S. Ishida, T. Fukunaga, T. Kinosada, K. Murase. Physica, BC105 (1--3), 70 (1981)
  6. Y. Ishihara, I. Nakada. Phys. Status Solidi B, 105, 285 (1981)
  7. Y. Ishihara, Y. Ohno, I. Nakada. Phys. Status Solidi B, 121 (1), 407 (1984)
  8. D.S. Kyriakos, A.N. Anagnostopoulos. J. Appl. Phys., 58, 3917 (1985)
  9. А.П. Захарчук, С.Ф. Терехова, С.М. Тодоров, Г.Г. Цебуля. ФТП, 10, 2367 (1976)
  10. M.P. Lisitsa, A.P. Zakharchuk, S.F. Terekhova, G.G. Tsebulya, L.K. Mladov, S.M. Todorov. Phys. Status Solidi B, 75 (1), K51 (1976)
  11. S.V. Vlachos, A.P. Lambros, A. Thanailakis, N.A. Economou. Phys. Status Solidi B, 76 (2), 727 (1976)
  12. S.V. Vlachos, A.P. Lambros, N.A. Economou. Sol. St. Commun., 19, 759 (1976)
  13. Д.А. Гусейнова, А.М. Кулибеков, И.К. Нейманзаде. ФТП, 17, 738 (1983)
  14. Д.А. Гусейнова, А.М. Кулибеков, Г.С. Оруджев. ФТП, 19, 2059 (1985)
  15. В.А. Тягай, В.Н. Бондаренко, А.Н. Красико, Д.И. Блецкан, В.И. Шека. ФТТ, 18, 1433 (1976)
  16. G. Valiukonis, F.M. Gashimzade, D.A. Guseinova, G. Krivaite, A.M. Kulibekov, G.S. Orudzhev, A. v Sileika. Phys. Status Solidi B, 117, 81 (1983)
  17. G. Valiukonis, D.A. Guseinova, G. Krivaite, A. v Sileika. Phys. Status Solidi B, 185, 299 (1986)
  18. F.M. Gashimzade, D.G. Guliev, D.A. Guseinova, V.Y. Shteinshrayber. J. Phys: Condens. Matter, 4, 1081 (1992)
  19. Д.И. Блецкан. УФЖ, 24, 1321 (1979)
  20. Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, Л.М. Сысоева. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, 1977) ч. 1, с. 286

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.