Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4--1.8 мкм

Михрин В.С.¹, Васильев А.П.¹, Семенова Е.С.¹, Крыжановская Н.В.¹, Гладышев А.Г.¹, Мусихин Ю.Г.¹, Егоров А.Ю.¹, Жуков А.Е.¹, Устинов В.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 июня 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила 1.59 мкм, в структурах с квантовыми точками - 1.76 мкм. PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr

M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. Jap. J. Appl. Phys., 35 (2B), 1273 (1996)
J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36 (5), 1384 (2000)
K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fischer, O. Blum, A.A. Allerman, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett., 36 (5), 1388 (2000)
V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15 (8), R41 (2000)
A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov. J. Electron. Mater., 30 (5), 477 (2001)
M.O. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 7 (2), 149 (2001)
N. Tansu, A. Quandt, M. Kanskar, W. Mulhearn, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 83, 18 (2003)
A. Livshits, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Electron. Lett., 36, 1381 (2000)
Н.В. Крыжановкая, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф. Цацульников, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП, 39 (6), 735 (2005)
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28 (8), 1439 (1994)
A. Pomarico, M. Lomascolo, R. Cingolani, A.Yu. Egorov, H. Riechert. Semicond. Sci. Technol., 17, 145 (2002)
S. Shirakata, M. Kondow, T. Kitatani. Appl. Phys. Lett., 80 (12), 2087 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель