Вышедшие номера
Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex
Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1, Лобанов Д.Н.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Яблонский А.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Исследовано влияние предосаждения напряженных слоев Si1-xGex (x=<20%) на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001). Обнаружено смещение пика фотолюминесценции от куполообразных островков в сторону меньших энергий по сравнению с пиком фотолюминесценции от пирамидальных островков, которое связывается со значительно большей высотой куполов по сравнению с пирамидами. Выявлено, что с увеличением содержания Ge в слое Si1-xGex более 10% в широкой полосе фотолюминесценции от островков появляются два отдельных пика, которые связываются с бесфононным и фононным оптическими переходами в островках. Их появление вызвано изменением типа TO-фотона, участвующего в оптической рекомбинации, с TOGe-Ge-фонона на более коротковолновый TOSi-Ge-фонон. PACS: 78.67.Hc, 78.55.Hx, 81.07.Ta