"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связывание состояний электронов в молекуле квантовых точек InAs/GaAs
Соболев М.М.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Михрин В.С.1, Цырлин Г.Э.1, Мусихин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально-сопряженных квантовых точек InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения. Установлено, что полупроводниковая гетероструктура InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 100 Angstrem проявляет себя как система несвязанных квантовых точек. Эти структуры имеют в спектрах DLTS два пика, которые определяются основным и возбужденным состояниями одиночной квантовой точки с уровнями энергии, проявляющими слабое смещение Штарка (1-2 мэВ). Для гетероструктуры InAs/GaAs с двумя слоями квантовых точек InAs, разделенных прослойкой GaAs толщиной 40 Angstrem, определено, что они находятся в фазе молекул. Гибридизация электронных состояний двух близко расположенных квантовых точек приводит к расщеплению уровней на связанные и антисвязанные, основные и возбужденные состояния электронов, 1s+, 1s-, 2p+, 2p-, 3d+, которые отображаются в спектрах DLTS в виде 5 пиков. Для этих квантовых состояний наблюдалось как сильное смещение Штарка уровней энергии (10-40 мэВ), так и пересечение (crossing) зависимостей энергий от величины электрического поля. Исследуемые структуры с вертикально-сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации. PACS: 73.21.Lc
  1. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop'ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Appl. Phys., 83, 556 (1998)
  2. T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, P.M. Petroff. Science, 286, 2312 (1999)
  3. M. Korkusinski, P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63, 195 311 (2001)
  4. X.Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. A, 61, 06 230 (2000)
  5. I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Akad. d. Wissenscaften in Wien (Abt. lib, 1937) band 146, p. 797
  6. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  7. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  8. B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  9. F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
  10. W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 86 (16), 167 401 (2002)
  11. W. Sheng, J.-P. Leburton. Appl. Phys. Lett., 81, 4449 (2002)
  12. M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
  13. I. Shrichman, C. Metzner, B.D. Gerardot, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 65, 081 303 (2002)
  14. T. Bryllet, M. Borgstrom, T. Sass, B. Gustafson, L.-E. Wernersson, W. Seifert, L. Samuelson. In: Abstracts 26th Int. Conf. Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) pt 3, p. 2
  15. H.J. Krenner, A. Zrenner, G. Abstreiter. In: Abstracts 26th Int. Conf. Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) pt 1, p. 204
  16. G. Ortner, I. Yugova, G. Baldassarri Hoger von Hogersthal, A. Larionov, H. Kurtze, D.R. Yakovlev, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak, Y.B. Lyanda-Geller, T.L. Reinecke, A. Babinski, M. Potemski, V.B. Timofeev, A. Forchel. Phys. Rev. B, 71, 125 335 (2005)
  17. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  18. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  19. М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, 200 (2000)
  20. М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
  21. M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
  22. М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  23. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
  24. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, Yu.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999)
  25. X. Letartre, D. Stievenard, M. Lanno, E. Barbier. J. Appl. Phys., 69, 7336 (1991)
  26. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  27. S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharaya. Appl. Phys. Lett., 76, 2571 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.