"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Связывание состояний электронов в молекуле квантовых точек InAs/GaAs
Соболев М.М.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Семенова Е.С.1, Михрин В.С.1, Цырлин Г.Э.1, Мусихин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально-сопряженных квантовых точек InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения. Установлено, что полупроводниковая гетероструктура InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 100 Angstrem проявляет себя как система несвязанных квантовых точек. Эти структуры имеют в спектрах DLTS два пика, которые определяются основным и возбужденным состояниями одиночной квантовой точки с уровнями энергии, проявляющими слабое смещение Штарка (1-2 мэВ). Для гетероструктуры InAs/GaAs с двумя слоями квантовых точек InAs, разделенных прослойкой GaAs толщиной 40 Angstrem, определено, что они находятся в фазе молекул. Гибридизация электронных состояний двух близко расположенных квантовых точек приводит к расщеплению уровней на связанные и антисвязанные, основные и возбужденные состояния электронов, 1s+, 1s-, 2p+, 2p-, 3d+, которые отображаются в спектрах DLTS в виде 5 пиков. Для этих квантовых состояний наблюдалось как сильное смещение Штарка уровней энергии (10-40 мэВ), так и пересечение (crossing) зависимостей энергий от величины электрического поля. Исследуемые структуры с вертикально-сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации. PACS: 73.21.Lc
  • M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Lunev, A.V. Sakharov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, P.S. Kop'ev, L.V. Asryan, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Appl. Phys., 83, 556 (1998)
  • T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, P.M. Petroff. Science, 286, 2312 (1999)
  • M. Korkusinski, P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63, 195 311 (2001)
  • X.Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. A, 61, 06 230 (2000)
  • I.N. Stranski, L. Krastanow. Sitzungsberichte d. Akad. d. Wissenscaften in Wien (Abt. lib, 1937) band 146, p. 797
  • D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenrech. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  • B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000)
  • F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, 161 301 (2002)
  • W. Sheng, J.-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 86 (16), 167 401 (2002)
  • W. Sheng, J.-P. Leburton. Appl. Phys. Lett., 81, 4449 (2002)
  • M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, 451 (2001)
  • I. Shrichman, C. Metzner, B.D. Gerardot, W.V. Schoenfeld, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 65, 081 303 (2002)
  • T. Bryllet, M. Borgstrom, T. Sass, B. Gustafson, L.-E. Wernersson, W. Seifert, L. Samuelson. In: Abstracts 26th Int. Conf. Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) pt 3, p. 2
  • H.J. Krenner, A. Zrenner, G. Abstreiter. In: Abstracts 26th Int. Conf. Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 2002) pt 1, p. 204
  • G. Ortner, I. Yugova, G. Baldassarri Hoger von Hogersthal, A. Larionov, H. Kurtze, D.R. Yakovlev, M. Bayer, S. Fafard, Z. Wasilewski, P. Hawrylak, Y.B. Lyanda-Geller, T.L. Reinecke, A. Babinski, M. Potemski, V.B. Timofeev, A. Forchel. Phys. Rev. B, 71, 125 335 (2005)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31, 1249 (1997)
  • М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев. ФТП, 34, 200 (2000)
  • М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002)
  • M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340--342, 1103 (2003)
  • М.М. Соболев, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 39, 131 (2005)
  • М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
  • M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, Yu.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999)
  • X. Letartre, D. Stievenard, M. Lanno, E. Barbier. J. Appl. Phys., 69, 7336 (1991)
  • P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, J.J. Finley, J.A. Barker, E.P. O'Reilly, L.R. Wilson, I.A. Larkin, P.A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J.P.R. David, A.G. Cullis, G. Hill, J.C. Clark. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  • S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh, P. Bhattacharaya. Appl. Phys. Lett., 76, 2571 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.