Вышедшие номера
Спектральная чувствительность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-AIIBVI
Комащенко В.Н.1, Колежук К.В.1, Ярошенко Н.В.1, Шереметова Г.И.1, Бобренко Ю.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n--AIIBVI/ n-AIIBVI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-CdSe для создания эффективных "солнечно-слепых" сенсоров ультрафиолетового излучения. PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq