Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектральная чувствительность гетероструктур p-Cu_1.8S/n^--ZnS/n-A^IIB^VI

Комащенко В.Н.¹, Колежук К.В.¹, Ярошенко Н.В.¹, Шереметова Г.И.¹, Бобренко Ю.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 21 июня 2005 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа p-Cu_1.8S/n^--A^IIB^VI/ n-A^IIB^VI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур p-Cu_1.8S/n^--ZnS/n-CdSe для создания эффективных "солнечно-слепых" сенсоров ультрафиолетового излучения. PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq

Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП. 37, 1025 (2003)
В.Н. Комащенко, К.В. Колежук, Е.Ф. Венгер, Г.И. Шереметова, О.А. Мищук, А.В. Комащенко. Письма ЖТФ, 28 (19), 32 (2002)
A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49 (1), 3 (1978)
И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A^IIB^VI (Л., Изд-во ЛГУ, 1978) гл. 2, с. 41
Г.И. Шереметова, О.С. Литвин, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, А.А. Корчевой, П.М. Литвин. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 2003) вып. 38, с. 159
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 3, 1, с. 46. [Пер. с англ.: J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentice-Hall, Inc. Englewood, N. J., 1971)]
R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5 (9--10), 341 (1962)
Е.Ф. Венгер, К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, А.В. Комащенко, О.А. Мищук, Г.И. Шереметова. Доповiдi Нацiональноi академi наук Украiни, N 2, 82 (2002). [Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, N 2 (2002)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель