"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной (300-400oC) молекулярной эпитаксии
Болховитянов Ю.Б.1, Дерябин А.С.1, Гутаковский А.К.1, Ревенко М.А.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. С помощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk
  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев. ФТП, 37, 513 (2003)
  2. H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, M. Zhou. J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
  3. K.K. Linder, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
  4. J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
  5. C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
  6. J.H. Li, C.S. Peng, Z.H. Mai, J.M. Zhou, Q. Huang, D.Y. Dai. J. Appl. Phys., 80, 1292 (1999)
  7. P.I. Gaiduk, A.N. Larsen, J.L. Hansen. Thin Sol. Films, 367, 120 (2000)
  8. Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 91, 4710 (2002)
  9. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
  10. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
  11. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 280, 309 (2005)
  12. E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Reports, 7, 92 (1991)
  13. J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol., 12, 126 (1975)
  14. S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  15. D.J. Eaglesham, E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys, J.C. Bean. Phil. Mag. A, 59, 1059 (1989)
  16. E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res., 5, 1900 (1990)
  17. Y. Chen, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 77, 4046 (1996)
  18. D.E. Jesson, S.J. Pennycook, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Phys. Rev. Lett., 71, 1744 (1993)
  19. A.G. Cullis, A.J. Pidduck, M.T. Emeny. J. Cryst. Growth, 158, 15 (1996)
  20. C.S. Ozkan, W.D. Nix, H. Gao. Appl. Phys. Lett., 70, 2247 (1997)
  21. Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 392, 98 (2001)
  22. S.Y. Yang, J.R. Abelson. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1327 (1993)
  23. J. Godet, L. Pizzagalli, S. Brochard, P. Beaushamp. Phys. Rev. B, 70, 054 109 (2004)
  24. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004)
  25. Y. Okada, H. Shimomura, M. Kawabe. J. Appl. Phys., 73, 7376 (1993)
  26. R.R. LaPierre, B.J. Robinson, D.A. Thompson. J. Cryst. Growth, 191, 319 (1998)
  27. J.E. Vasek, Z. Zhang, C.T. Salling, M.G. Lagally. Phys. Rev. B, 51, 17 207 (1995)
  28. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 84, 4599 (2004)
  29. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171, 689 (2001)
  30. F.K. LeGoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.