"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной (300-400oC) молекулярной эпитаксии
Болховитянов Ю.Б.1, Дерябин А.С.1, Гутаковский А.К.1, Ревенко М.А.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. С помощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk
  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев. ФТП, 37, 513 (2003)
  • H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, M. Zhou. J. Appl. Phys., 79, 1167 (1996)
  • K.K. Linder, F.C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, D. Houghton. Appl. Phys. Lett., 70, 3224 (1997)
  • J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett., 71, 3132 (1997)
  • C.S. Peng, Z.Y. Zhao, H. Chen, J.H. Li, Y.K. Li, L.W. Guo, D.Y. Dai, Q. Huang, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72, 3160 (1998)
  • J.H. Li, C.S. Peng, Z.H. Mai, J.M. Zhou, Q. Huang, D.Y. Dai. J. Appl. Phys., 80, 1292 (1999)
  • P.I. Gaiduk, A.N. Larsen, J.L. Hansen. Thin Sol. Films, 367, 120 (2000)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 91, 4710 (2002)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 466, 69 (2004)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys., 96, 7665 (2004)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 280, 309 (2005)
  • E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Reports, 7, 92 (1991)
  • J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol., 12, 126 (1975)
  • S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  • D.J. Eaglesham, E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys, J.C. Bean. Phil. Mag. A, 59, 1059 (1989)
  • E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res., 5, 1900 (1990)
  • Y. Chen, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 77, 4046 (1996)
  • D.E. Jesson, S.J. Pennycook, J.-M. Baribeau, D.C. Houghton. Phys. Rev. Lett., 71, 1744 (1993)
  • A.G. Cullis, A.J. Pidduck, M.T. Emeny. J. Cryst. Growth, 158, 15 (1996)
  • C.S. Ozkan, W.D. Nix, H. Gao. Appl. Phys. Lett., 70, 2247 (1997)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Sol. Films, 392, 98 (2001)
  • S.Y. Yang, J.R. Abelson. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1327 (1993)
  • J. Godet, L. Pizzagalli, S. Brochard, P. Beaushamp. Phys. Rev. B, 70, 054 109 (2004)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004)
  • Y. Okada, H. Shimomura, M. Kawabe. J. Appl. Phys., 73, 7376 (1993)
  • R.R. LaPierre, B.J. Robinson, D.A. Thompson. J. Cryst. Growth, 191, 319 (1998)
  • J.E. Vasek, Z. Zhang, C.T. Salling, M.G. Lagally. Phys. Rev. B, 51, 17 207 (1995)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett., 84, 4599 (2004)
  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171, 689 (2001)
  • F.K. LeGoues, B.S. Meyerson, J.F. Morar, P.D. Kirchner. J. Appl. Phys., 71, 4230 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.