"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность
Карпович И.А.1, Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Андрющенко И.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 июня 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Методом фотоэлектрической спектроскопии на барьерах полупроводника с металлом и электролитом исследовано образование дефектов в приконтактной области GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность. Показано, что возникающий в результате химического взаимодействия Pd с полупроводником при 100oC слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину ~0.4 мкм в GaAs и ~1 мкм в Si. Если в приконтактной области GaAs встроены один или несколько напряженных слоев квантовых ям InGaAs, то дефекты практически не проникают дальше первой квантовой ямы. Это позволяет уменьшить глубину дефектного слоя, но при этом значительно увеличивается объемная концентрация дефектов в этом слое. PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 73.40.Ns, 73.20.Hb
  1. А.В. Евдокимов, М.Н. Мушурудли, А.В. Ржанов. Зарубеж. электрон. техн., N 2, 231 (1988)
  2. И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков. ФТП, 36, 582 (2002)
  3. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
  4. Л.М. Красильникова, И.В. Ивонин, М.П. Якубеня, И.К. Максимова, Г.К. Арбузова. Изв. вузов. Физика, N 3, 60 (1989).
  5. Н.Г. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)
  6. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
  7. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.