"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние неоднородности толщины диэлектрика на переключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si при обратном смещении
Тягинов С.Э.1, Векслер М.И.1, Шулекин А.Ф.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv
  • H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
  • B. Majkusiak, A. Strojwas. J. Appl. Phys., 74 (9), 5638 (1993)
  • M. Houssa, T. Nigam, P.W. Mertens, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 43 (1), 159 (1999)
  • M.I. Vexler, A.F. Shulekin, Ch. Dieker, V. Zaporojtschenko, H. Zimmermann, W. Jager, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht. Sol. St. Electron., 45 (1), 19 (2001)
  • C.Э. Тягинов, М.И. Векслер, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 3 (24), 6 (2004)
  • S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 41 (1981)
  • I.V. Grekhov, A.F. Shulekin, M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 38 (8), 1533 (1995)
  • A.F. Shulekin, M.I. Vexler, H. Zimmermann. Semicond. Sci. Technol., 14 (5), 470 (1999)
  • A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
  • M.G. Ancona, Z. Yu, R.W. Dutton, P.J. Vande Voorde, M. Cao, D. Vook. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-47 (12), 2310 (2000)
  • A. Haque, K. Alam. Appl. Phys. Lett., 81 (4), 667 (2002)
  • W.E. Drummond, J.L. Moll. J. Appl. Phys., 42 (13), 5556 (1971)
  • C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.