"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах
Любимский В.М.1
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Рассмотрена модель электропроводности поликристаллической кремниевой пленки p-типа с учетом растекания тока в кристаллитах. Модель позволяет непротиворечиво и удовлетворительно описать экспериментальные результаты по электропроводности и эффекту пьезосопротивления в поликремнии p-типа до и после импульсного токового отжига. Сделан вывод о том, что площади электрических контактов между кристаллитами близки к геометрическим площадям между ними, тем не менее плотность тока в кристаллитах неоднородна. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Cw
  • J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
  • N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 818 (1981)
  • M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 1163 (1981)
  • M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 1171 (1981)
  • V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sens. Actuators, A, 28, 113 (1991)
  • К.М. Дощанов. ФТП, 32, 690 (1998)
  • К.М. Дощанов. ФТП, 31, 954 (1997)
  • Д.В. Шенгуров, Д.А. Павлов, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 32, 627 (1998)
  • C.H. Cheu, Y.K. Fang, C.W. Yang, T.W. Wang, Y.L. Hsu, S.L. Hsu. IEEE Electron. Dev. Lett., 22, 524 (2001)
  • H.M. Chuang, K.B. Thei, S.F. Tsai, W.C. Liu. IEEE Trans. Electron. Devices, 50, 1413 (2003)
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. ФТП, 39, 208 (2005)
  • В.В. Грищенко, А.М. Логанихин, В.М. Любимский. Тр. V межд. конф. "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Новосибирск, Россия, 2000) т. 4, с. 8
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский. ФТП, 39, 192 (2005)
  • P. Moon, D.E. Spenser. Field Theory Handbook (Springer, Berlin, 1971) p. 71
  • Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1970) с. 215.
  • W. Versnel. Solid-State Electron., 21, 1261 (1978)
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003)
  • D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sens. Actuators, 11, 145 (1987)
  • Y. Amemiya, T. Ono, K. Kato. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-26, 1738 (1979)
  • K. Kato, T. Ono, Y. Amemiya. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-29, 1156 (1982)
  • С.В. Спутай. Актуальные проблемы электронного приборостроения. Сенсорная электроника. Сб. тр. Всес. конф. (Новосибирск, Россия, 1991) с. 33
  • С.В. Спутай. Тез. докл. 1-й Межд. конф. "Датчики электрических и неэлектрических величин" (Барнаул, Россия, 1993) ч. 1, c. 95
  • D.M. Kim, A.N. Khondker, S.S. Ahmed, R.R. Shah. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-31, 480 (1984)
  • Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 324
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский. ФТП, 38, 1013 (2004).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.