"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах
Любимский В.М.1
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Рассмотрена модель электропроводности поликристаллической кремниевой пленки p-типа с учетом растекания тока в кристаллитах. Модель позволяет непротиворечиво и удовлетворительно описать экспериментальные результаты по электропроводности и эффекту пьезосопротивления в поликремнии p-типа до и после импульсного токового отжига. Сделан вывод о том, что площади электрических контактов между кристаллитами близки к геометрическим площадям между ними, тем не менее плотность тока в кристаллитах неоднородна. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Cw
  1. J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
  2. N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 818 (1981)
  3. M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 1163 (1981)
  4. M.M. Manddurah, K.C. Saraswat, T.I. Kamins. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-28, 1171 (1981)
  5. V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sens. Actuators, A, 28, 113 (1991)
  6. К.М. Дощанов. ФТП, 32, 690 (1998)
  7. К.М. Дощанов. ФТП, 31, 954 (1997)
  8. Д.В. Шенгуров, Д.А. Павлов, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 32, 627 (1998)
  9. C.H. Cheu, Y.K. Fang, C.W. Yang, T.W. Wang, Y.L. Hsu, S.L. Hsu. IEEE Electron. Dev. Lett., 22, 524 (2001)
  10. H.M. Chuang, K.B. Thei, S.F. Tsai, W.C. Liu. IEEE Trans. Electron. Devices, 50, 1413 (2003)
  11. В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. ФТП, 39, 208 (2005)
  12. В.В. Грищенко, А.М. Логанихин, В.М. Любимский. Тр. V межд. конф. "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Новосибирск, Россия, 2000) т. 4, с. 8
  13. В.А. Гридчин, В.М. Любимский. ФТП, 39, 192 (2005)
  14. P. Moon, D.E. Spenser. Field Theory Handbook (Springer, Berlin, 1971) p. 71
  15. Г. Корн, Т. Корн. Справочник по математике для научных работников и инженеров (М., Наука, 1970) с. 215.
  16. W. Versnel. Solid-State Electron., 21, 1261 (1978)
  17. В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003)
  18. D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sens. Actuators, 11, 145 (1987)
  19. Y. Amemiya, T. Ono, K. Kato. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-26, 1738 (1979)
  20. K. Kato, T. Ono, Y. Amemiya. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-29, 1156 (1982)
  21. С.В. Спутай. Актуальные проблемы электронного приборостроения. Сенсорная электроника. Сб. тр. Всес. конф. (Новосибирск, Россия, 1991) с. 33
  22. С.В. Спутай. Тез. докл. 1-й Межд. конф. "Датчики электрических и неэлектрических величин" (Барнаул, Россия, 1993) ч. 1, c. 95
  23. D.M. Kim, A.N. Khondker, S.S. Ahmed, R.R. Shah. IEEE Trans. Electron. Devices, ED-31, 480 (1984)
  24. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) с. 324
  25. В.А. Гридчин, В.М. Любимский. ФТП, 38, 1013 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.