Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Контакты с диффузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)B_x в СВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц

Болтовец Н.С.¹, Иванов В.Н.¹, Беляев А.Е.², Конакова Р.В.², Кудрик Я.Я.², Миленин В.В.², Арсентьев И.Н.³, Бобыль А.В.³, Брунков П.Н.³, Тарасов И.С.³, Тонких А.А.³, Улин В.П.³, Устинов В.М.³, Цырлин Г.Э.³

¹Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 октября 2005 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

PDF версия

Новая технология термически стабильных омических контактов с диффузионными барьерами на основе аморфных фаз внедрения TiN, Ti(Zr)B_x использована при разработке СВЧ диодов миллиметрового диапазона (более 100 ГГц) на основе GaAs, InP и Si. Повышение надежности GaAs, InP диодов Ганна, работающих на частоте 200 ГГц, стало возможным также и за счет использования в качестве исходных приборных структур эпитаксиальных слоев, полученных методами газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксии на пористые подложки A^IIIB^V. Диапазон работы лавинно-пролетных диодов на основе Si увеличен до 350 ГГц. Для этого впервые была использована технология формирования активного элемента на кремниевой металлизированной мембране. PACS: 85.30.Mn, 85.30.Fg

В.Г. Божков, В.В. Вилисова, К.И. Куркан, О.Ю. Малаховский, Т.М. Табакеева. Электронная промышленность, N 3, 82 (1993)
В.Г. Божков, В.А. Генненберг, К.И. Куркан, О.Ю. Малаховский, В.Н. Романовская, А.Д. Фригер. Электронная промышленность, N 3, 88 (1993)
В.Г. Божков, В.С. Лукаш. Вестн. Томск. гос. ун-та. Сер. физика, N 285, 129 (2005)
И.И. Еру. Успехи соврем. радиоэлектрон., N 3, 51 (1997)
H. Eisele, G.I. Haddad. IEEE Trans. MTT, 46 (6), 739 (1998)
Р.П. Быстров, С.И. Самойлов, А.В. Соколов. Зарубеж. радиоэлектрон., N 10, 60 (1999)
С.П. Ракитин, Н.Ф. Карушкин, Ю.А. Цвирко, Л.В. Касаткин, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, С.В. Хоменко. Тр. 10 Межд. Крымской конф. " СВЧ техника и телекоммуникационные технологии" "Крымико-2000" (11-15 сентября, Украина, Севастополь: Вебер, 2000) с. 33
А.Б. Борзов, Р.П. Быстров, В.Г. Дмитриев, Э.А. Засовин, А.А. Потапов, А.В. Соколов, И.В. Чусов. Зарубеж. радиоэлектрон., N 4, 18 (2001)
P.N. Siegel. Terahertz Technology. IEEE Trans. MTT, 50 (3), 910 (2002)
G.I. Haddad, R.J. Trew. IEEE Trans. MTT, 50 (3), 760 (2002)
N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovski, I.N. Arsentev, A.V. Bobyl, S.G. Konikov, P.S. Kop'ev, M.E. Levinshtein, M.V. Shishkov, R.A. Suris, I.S. Tarasov. Proc. 5 ISTC SAC Seminar Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology (St. Petersburg, Ioffe Institute, Russia. May 27-29, 2002) p. 359.
Р.В. Конакова, И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.Е. Беляев, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, М.Е. Левинштейн, В.В. Миленин, С.Г. Конников, П.С. Копьев, А.А. Ситникова, Р.А. Сурис. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроводников (27-31 октября, 2003, Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003) с. 182
I.N. Arsentev, A.V. Bobyl, S.G. Konnikov, I.S. Tarasov, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.V. Milenin, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov. Proc. 5^th Int. Kharkov Symp. "Physics and engineering of microwaves millimeter and submillimeter waves" (June 21-26, 2004, Ukraine, Kharkov) v. 2, p. 572
Г.Ф. Терещенко, И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, В.В. Устинов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.П. Шпак, Э.М. Руденко. Тез. докл. конф. Нанорозмiрнi системи. Електронна, атомна будова i властивостi" (НАНСИС 2004) (12-14 августа, 2004, Украина, Киев, IМФ НАНУ, 2004) с. 20
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, I.N. Arsentev, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, S.G. Konnikov, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, V.V. Ustinov, V.P. Ilin, I.S. Tarasov, G.F. Tereshchenko. Abstracts 1^st Ukraine--Korea Seminar on Nanophotonics and Nanophysics (Kiev, Ukraine, 21-23 June, 2005) p. 11
В.Ф. Олейник, В.Л. Булгач, В.В. Валяев, А.В. Зоренко, Д.В. Миронов, В.Е. Чайка. Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологий (Киев, ГУИКТ, 2004)
Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электроники (М., Радио и связь, 1990)
В.Ф. Дорфман. Микрометаллургия в микроэлектронике. Принципы технологии в полупроводниковом приборостроении (М., Металлургия, 1978)
Н.Н. Бакин. Электронная промышленность, N 9, 30 (1993)
А.С. Комаров, Л.Н. Кравченко, А.М. Кречмер, Л.Г. Шаповал. Электронная промышленность, N 9, 25 (1993)
Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин. Вестн. Томск. гос. ун-та. Сер. физика, N 285, 74 (2005)
А.А. Ситникова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, В.П. Улин. ФТП, 39 (5), 552 (2005)
Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко, О.М. Федорова, С.Г. Конников, В.И. Корольков. Письма ЖТФ. 25 (21), 15 (1999)
В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
Ю.Н. Бузыкин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 26 (7), 64 (2000)
И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002)
N.S. Boltovets, V.V. Basanets, V.N. Ivanov, V.A. Krivutsa, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, E.F. Venger, D.I. Voitsikhovskyi, V.V. Kholevchuk, V.F. Mitin. Semicond. Phys., Quant. Electron \& Optoelectron., 3 (3), 359 (2000)
N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, G.M. Veremeychenko. Semicond. Phys. Quant. Electron. \& Optoelectron., 4 (1), 93 (2001)
N.S. Boltovets, V.V. Basanets, A.V. Tsvir, A.M. Kurakin, E.F. Venger, R.V. Konakova, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.A. Soloviev. Proc. 10^th Int. Crimean conf. Microwave \& Telecommunication Technologies" CriMiCo'2000 (11-15 September, Ukraine, Sevastopol: Veber, 2000) p. 139.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель