"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs
Захаров Д.Н.1, Калыгина В.М.1, Нетудыхатко А.В.2, Панин А.В.3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл--полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула--Френкеля. При напряжениях выше 60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi
  1. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000) гл. 1
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 109
  3. R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55 (1), 25 (1985)
  4. В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 6 (12), 2319 (1986)
  5. П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене. ФТП, 32, 882 (1998)
  6. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссивич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997)
  7. С.В. Булярский, А.В. Жуков. ФТП, 35 (5), 560 (2001)
  8. А.В. Панин, А.Р. Шугуров, В.М. Калыгина. ФТП, 36 (1), 78 (2001)
  9. Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский. ФТП, 37 (8), 955 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.