Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs

Захаров Д.Н.¹, Калыгина В.М.¹, Нетудыхатко А.В.², Панин А.В.³

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

³Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Institute of Strength Physics and Materials Science of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 октября 2005 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti-n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл-полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула-Френкеля. При напряжениях выше 60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi

В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000) гл. 1
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 109
R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St. Commun., 55 (1), 25 (1985)
В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 6 (12), 2319 (1986)
П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене. ФТП, 32, 882 (1998)
С.Д. Ганичев, И.Н. Яссивич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997)
С.В. Булярский, А.В. Жуков. ФТП, 35 (5), 560 (2001)
А.В. Панин, А.Р. Шугуров, В.М. Калыгина. ФТП, 36 (1), 78 (2001)
Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский. ФТП, 37 (8), 955 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель