Вышедшие номера
Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках
Покутний С.И.1
1Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, Ильичевск, Украина
Поступила в редакцию: 26 апреля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Развита теория взаимодействия электромагнитного поля с одночастичными состояниями носителей заряда, возникающими в полупроводниковой квантовой точке. Показано, что силы осцилляторов перехода, а также дипольные моменты переходов для одночастичных состояний в квантовой точке принимают большие значения, превосходящие типичные значения соответствующих величин для полупроводниковых материалов. В рамках дипольного приближения установлено, что большие значения сечений поглощения света, а также оптического коэффициента ослабления света в изучаемых квазинульмерных системах дают возможность использовать такие системы в качестве новых сильно поглощающих материалов. PACS: 78.67.Hc, 73.30.Ly, 78.20.Dj