Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек

Кульбачинский В.А.¹, Рогозин В.А.¹, Кытин В.Г.¹, Лунин Р.А.¹, Звонков Б.Н.¹, Дашевский З.М.², Касиян В.А.²

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, P.O. Box 653, Beer-Sheva, Israel

Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.

Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La

Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 1 (1998) [Semiconductors, 32, 1 (1998)]
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998). [N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32, 343 (1998)].
В.М. Устинов. ФТП, 38, 963 (2004). [V.M. Ustinov. Semiconductors, 38, 923 (2004)]
М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 763 (2004). [M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, A.E. Zhukov, A.P. Vasil'ev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, E.S. Semenova, N.A. Maleev, E.V. Nikitina, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semiconductors, 38, 732 (2004)]
И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 1270 (2003). [I.I. Novikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semiconductors, 37, 1239 (2003)]
V.A. Kulbachinskii, Y.N. Safyanov, B.N. Zvonkov, I.G. Malkina, R.A. Lunin, V.G. Kytin. Microelectronic Eng., 43--44, 107 (1998)
В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, А.В. Голиков, И.Г. Малкина, Б.Н. Звонков, Ю.Н. Сафьянов. ФТП, 33, 316 (1999). [V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov. Semiconductors, 33, 318 (1999)]
H.Z. Song, K. Akahane, S. Lan, H.Z. Xu, Y. Okada, M. Kawabe. Phys. Rev. B, 64, 085 303 (2001)
R.A. Lunin, V.G. Kytin, V.A. Kulbachinskii, Y.N. Safyanov, B.N. Zvonkov, I.G. Malkina, A.V. Golikov. Physica B, 266, 185 (1999)
В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин и др. ЖЭТФ, 120, 933 (2001). [V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin et al. JETP, 93, 815 (2001)]
H.C. Liu, M. Gao, J. McCaffrey, Z.R. Wasilewski, S. Fafard. Appl. Phys. Lett., 78, 79 (2001)
S. Maimon, E. Finkman, G. Bahir, S.E. Schacharn, J.M. Garcia, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 73 (14), 2003 (1998)
D. Pan, E. Towe, S. Kennerly. Appl. Phys. Lett., 75, 2719 (1999)
S.-W. Lee, K. Hirakawa, Y. Shimada. Physica E, 7, 499 (2000)
L. Chu, A. Zrenner, G. Bohm, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 76, 1944 (2000)
L. Chu, A. Zrenner, M. Bichler, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 79, 2249 (2001)
V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, et al. Phys. Staus Solidi C, 0, 1297 (2003)
C.E. Johnson, H.W. Jiang. Phys. Rev. B, 48, 2823 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель