Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
3Laser Zentrum Hannover e. V., Hannover, Germany
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
3Laser Zentrum Hannover e. V., Hannover, Germany
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. Имплантация B гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах. PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww
- M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, 170 (1996)
- Y. Kanazawa, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Sol. St. Commun., 100, 227 (1996)
- M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 (1998)
- M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamoto. Appl. Phys. Lett., 75, 184 (1999)
- Y. Kanazawa, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Mater. Sci. Eng., A217/218, 155 (1996)
- Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys. Rev. B, 62, 12 625 (2000)
- M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase, K. Ninomiya, S. Hayashi. Appl. Phys. Lett., 85, 1158 (2004)
- Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, N 5, 31 (1998)
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. ФТП, 37, 738 (2003)
- G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.G. Kesler, A.K. Gutakovsky, A.G. Cherkov, A.V. Bublikov, D.I. Tetelbaum. Nucl. Instr. Meth. B, 222, 497 (2004)
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
- В.М. Кошкин, В.В. Слезов. Письма ЖТФ, 30, 38 (2004)
- Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, А.Ф. Лейер. ФТП, 31, 730 (1997)
- G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instr. Meth. B, 122, 571 (1997)
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, М.-О. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34, 1004 (2000)
- M. Klimenkov, W. Matz, S.A. Nepijko, M. Lehman. Nucl. Instr. Meth. B, 179, 209 (2001)
- L. Czepregi, E.F. Kennedy, T.J. Gallaher, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. J. Appl. Phys., 48, 4234 (1977)
- D. Pacifici, E.C. Moreira, G. Franzo, V. Martorino, F. Priolo, F. Iacona. Phys. Rev. B, 65, 144 109 (2002)
- A. Janotta, Y. Dikce, M. Schmidt, C. Eisele, M. Stutzmann, M. Luysberg, L. Houben. J. Appl. Phys., 95, 4060 (2004)
- М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
- H.J. von Bardeleben, C. Ortega, A. Grosman, V. Morazzani, J. Siejka, D. Stievenard. J. Luminesc., 57, 301 (1993)
- G. Mauckner, W. Rebitzer, K. Thonke, R. Sauer. Sol. St. Commun., 91, 717 (1994)
- Y. Kanazawa, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. Mater. Sci. Eng. A, 217/218, 155 (1996)
- R. Tsu, D. Babic. Appl. Phys. Lett., 64, 1806 (1994)
- R. Tsu. Appl. Phys. A, 71, 391 (2000)
- Т. Хасанов, А.С. Мардежов, С.Г. Яновская, Г.А. Качурин, O. Kaitasov. Опт. и спектр., 90, 924 (2001)
- T.P. Chen, Y. Liu, M.S. Tse, O.K. Tan, P.F. Ho, K.Y. Liu, D. Gui, A.L.K. Tan. Phys. Rev. B, 68, 153 301 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
